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Serveur d'exploration sur l'Indium - Repository (Accueil)

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Les termes de plus forte occurence

32901Etude expérimentale
10694Semiconducteur III-V
10277Gallium arséniure
9303Couche mince
9026Composé minéral
8715Semiconducteur
8580Photoluminescence
8244Composé ternaire
7653Indium arséniure
7581Indium composé
7258Composé binaire
5657Indium Phosphure
5475Diffraction RX
5365Etude théorique
5344Indium phosphure
4745Indium
4239Laser semiconducteur
4161Epitaxie jet moléculaire
4069Gallium Arséniure
4046Matériau semiconducteur
3878Puits quantique
3823Conductivité électrique
3736InP
3698Composé III-V
3632As Ga In
3501Gallium Indium Arséniure Mixte
3319GaAs
3264Hétérojonction
3187In P
3107Cellule solaire
30657866F
30044255P
2922InAs
2879Caractéristique courant tension
2856Dopage
2821Composition chimique
2767Epitaxie
2722Composé quaternaire
2684Bande interdite
2667Point quantique
2649InGaAs
2631As Ga
25407855C
2527Propriété optique
2484Croissance cristalline
2409Oxyde d'indium
2404Indium Arséniure
2379Dépendance température
2292Croissance cristalline en phase vapeur
2248Microscopie électronique balayage
2242Gallium composé
2238Diode électroluminescente
2171Structure cristalline
2159Gallium phosphure
21438115H
2091Silicium
2070Recuit
2027As In
1990Couche épitaxique
1985Expérience
1983Structure bande
1974Microscopie force atomique
1958Nanomatériau
1937Température
1913Mécanisme croissance
1899Microscopie électronique transmission
1893Puits quantique semiconducteur
1893Puits quantique multiple
1892Exciton
1889Indium oxyde
1826Indium nitrure
1825Microstructure
1820Monocristal
1753Epaisseur
1748Matériau dopé
1737Aluminium arséniure
17346855J
1715Propriété électrique
1703Morphologie
16996865
1678Impureté
1664Structure électronique
1660Gallium nitrure
1655Solution solide
1645Hétérostructure
1634Densité porteur charge
1615Fabrication microélectronique
1599Structure surface
15958105E
1588Effet Hall
1584Point quantique semiconducteur
1550Mobilité porteur charge
1532Théorie
1516Dépôt chimique phase vapeur
15137320D
1474Basse température
1451GaN
1446Effet température
1435Indium séléniure
1430Evaluation performance
1428Addition indium
1426Indium alliage
1422Aluminium composé
1396Spectre absorption
1395Gallium Indium Phosphoarséniure Mixte
1382Superréseau
1366Homme
1362Nanostructure
1335Préparation
1333Electroluminescence
1313Méthode MOCVD
1284Méthode MOVPE
1283Transistor mobilité électron élevée
1272Caractérisation
12558560J
1237InGaN
12348115G
1223Concentration porteur charge
1219Photoconductivité
1217Croissance semiconducteur
1209Densité courant
1201Dispositif optoélectronique
1198Composé semiconducteur indium
1195Arséniure d'indium
1192Laser puits quantique
1191Photodétecteur
1175Oxyde d'étain
1171Substrat
1158Indium Antimoniure
11588115K
1157Composé organométallique
11247361E
1121As Ga In P
11168460J
1113Indium antimoniure
1107Transistor effet champ
1080Etain oxyde
1075Epitaxie phase vapeur
1072Addition étain
1050Interface
1036Paramètre cristallin
1034Caractéristique électrique
1019Spectre IR
1015Electrode
1015Cuivre séléniure
1012Fabrication
1010Photodiode
1007Polycristal
990Indium phosphure semiconducteur
983In
982Electrode ITO
976Traitement surface
973Accommodation réseau
966Couche épitaxique semiconductrice
957Température ambiante
951Performance
948Indice réfraction
932Puits quantique contraint
929Multicouche
928Traitement thermique
928Métal transition Composé
913Or
909Méthode mesure
906ITO
899Cinétique
898Implantation ion
888Couche tampon
885Guide onde optique
882InGaAsP
875Recuit thermique
873Verre
867Exploration radioisotopique
867Autoassemblage
8650130C
858Oxydation
856Arséniure de gallium
853Scintigraphie
849Interface solide solide
847Ga In N
843Nitrure d'indium
836Rugosité
8366835B
835Surface
8357340K
819Etat interface
816Cuivre
8107867H
806Indium Oxyde
805Etude comparative
8058107T
799Oxyde de zinc
796Diffusion(transport)
795Nanoparticule
794Energie activation
793Gallium
791Semiconducteur bande interdite large
790Nitrure de gallium
790Indium 111
789Spectrométrie photoélectron
787Substrat GaAs
785Concentration impureté
781Transistor bipolaire hétérojonction
781Spectre Raman
781Phosphure d'indium
781Optimisation
777Ga In P
777Condensation faisceau moléculaire
774Dépôt électrolytique
773TEM
771Effet champ magnétique
770Ga N
767Rayonnement IR
766Spectre photoélectron RX
762Rendement quantique
759Diode laser
750Réaction électrochimique
749InN
749Absorption optique
743Marquage radioisotopique
742Diagramme phase
7388115C
737Matériau modifié
735Effet tunnel
727Défaut cristallin
725Transformation phase
722Laser injection
719Masse effective
719Bande valence
708Dislocation
707Simulation numérique
704Bande conduction
696Application
696Aluminium Gallium Arséniure Mixte
692Gallium antimoniure
683Haute température
682Caractéristique capacité tension
679Lacune
676ZnO
672Niveau Fermi
671Précurseur
668Gravure
666Déformation mécanique
665Zinc
6657867D
662Effet concentration
660Aluminium
656Etain
656Coordinat organique
655Méthode phase vapeur
653Passivation
6508107
649Solution aqueuse
649Aluminium Indium Arséniure Mixte
6456166F
644Gallium arséniure semiconducteur
642Al As Ga
641Modélisation
640Procédé fabrication
640Indium sulfure
640InSb
639Nanofil
632Structure interface
628Télécommunication optique
623XRD
6177820C
6086855L
603Si
601Puissance sortie
601AlGaAs
600Transistor hétérojonction
599In2O3
597Phénomène transport
595Hétérojonction semiconducteur
590Coefficient absorption
5908560G
588Article synthèse
586Rayon X
586Courant photoélectrique
583Optique intégrée
583Hétéroépitaxie
581Argent
577Courant seuil
5777320A
574Mobilité électron
571Contact ohmique
570CuInSe2
570Couche autoassemblée
570Couche ITO
570Al As In
569Aluminium Arséniure
567Indium gallium arséniure semiconducteur
566Transition optique
565Gallium Phosphure
563Dopage semiconducteur
557Chalcopyrite
553Méthode fonctionnelle densité
5527830F
551Effet champ électrique
5498107B
544Voltammétrie cyclique
544Porteur charge
540Spectre résolution temporelle
538Piégeage porteur charge
534Largeur raie
533Effet dimensionnel
533Détecteur IR
532Germanium
531Champ magnétique
529Cathodoluminescence
528Optique non linéaire
527Alliage ternaire
523Substrat verre
522Alliage binaire
520Effet pression
5187155E
517Transition interbande
517Gallium séléniure
517Etat défaut
514Barrière Schottky
513Facteur réflexion
513Couche épaisse
512Simulation ordinateur
512Pulvérisation irradiation
510Mode opératoire
509Indium Séléniure
508Gallium Indium Phosphure Mixte
507Thiophène dérivé polymère
506Semiconducteur II-VI
506Champ électrique
5058535B
503Nanocristal
499Etat amorphe
498Relaxation contrainte
4987860F
497Centre donneur
496Laser réaction répartie
495Eclairement
493Facteur transmission
491Etat localisé
489Stabilité thermique
489Durée vie
489Anisotropie
488Croissance film
487Matériau transparent
486Fer
485Circuit intégré monolithique
4848530T
483Structure îlot
483Dispositif photovoltaïque
482Spectrométrie Auger
481RHEED
4817847
480Aluminium nitrure
479Propriété électronique
479Cuivre Indium Séléniure Mixte
478Laser émission surface
477Procédé sol gel
476Adsorption
4767120N
475Diode électroluminescente organique
472Conductivité type n
469Orientation cristalline
469Fiabilité
468Dispositif semiconducteur
4687866
467Stoechiométrie
466Phosphore composé
466Couche mince semiconductrice
465Niveau énergie
464Spectre visible
464In Sb
464Déplacement raie
463Luminescence
4628110A
4628107V
461Reconstruction surface
460Pulvérisation cathodique
459Matériau optique
459Couche monomoléculaire
458Fabrication dispositif semiconducteur
457Diode barrière Schottky
457Capacité électrique
456Polymère conducteur
454Magnétorésistance
454Etain Oxyde
453Diagnostic
451Polymère
448Propriété thermodynamique
448Etat surface
448Etat fondamental
446Séléniure d'indium
444Effet composition
444Courant fuite
442Rayonnement visible
440Gain
438Susceptibilité magnétique
438Dépôt pulvérisation
4366855A
435Superréseau semiconducteur
435Hydrogène
434Irradiation
430Substrat InP
428Résistivité électrique
428Centre accepteur
4270757K
426Métal transition
424Composé intermétallique
423Spectrométrie SIMS
423Anticorps monoclonal
423Aimantation
422Hauteur barrière
4228115L
421Recombinaison porteur charge
421Matériau composite
420InxGa1-xAs
418Structure moléculaire
418Détecteur rayonnement
417Diode
417Cristallisation
416STM
4168107S
412Diffraction électron
412Composé semiconducteur aluminium
411Propriété électrochimique
4118165C
410Etat excité
410Animal
409Support
409Composé organique
407In N
407Croissance cristalline en phase fondue
406Circuit intégré
405Cu In Se
405Courant électrique
405Couche contrainte
403Fibre optique
402Evaporation
401Transition niveau énergie
399Fil quantique
398Analyse chimique
3986835F
397Attaque chimique
396Recuit thermique rapide
396Diffusion
396Caractéristique optique
395Revêtement
395Basse pression
3957350P
3957321L
3956172V
394Densité dislocation
394Cérium alliage
392Energie liaison
391Absorption IR
388GaSb
385Carbone
384Synthèse nanomatériau
384InGaP
382Transconductance
382Spectre réflexion
381Oxygène
381Guide onde
381Discontinuité bande
380Transistor couche mince
380Platine
3807350D
379In O Sn
379Croissance cristalline en solution
3798530V
3786855B
377Morphologie surface
376Rayonnement UV
376Etat impureté
376Electrochromisme
375Structure dispositif semiconducteur
374Transistor bipolaire
374Séléniure de cuivre
374Semiconducteur type n
374Effet Shubnikov de Haas
373Antimoine
371Confinement
371Catalyseur
370Faisceau laser
368Pompage optique
3680707D
366Modulateur optique
366Constante diélectrique
365Synthèse chimique
365Méthode Monte Carlo
365Mobilité Hall
3637350G
361Travail sortie
361Taux croissance
361Epaisseur couche
361Calcul ab initio
3618110F
360Pulvérisation haute fréquence
360Niveau profond
359Ségrégation
358Résultat expérimental

Manipulations en shell (Unix/Dilib)

HfdCat IndiumV3/Data/Main/Repository/FC03.fr.i.hfd| SxmlCut idx/l | grep ...
Wicri

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