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Index « AffVille.i » - entrée « Lyon »
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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 46.
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Ident.Authors (with country if any)Title
000D88 (2013) Electrochemical analysis of a PPV derivative thin film doped with β-ketoimine calix[4]arene in the dark and under illumination for the detection of Hg2+ ions
001D27 (2012) Efficient Preparation of Anhydrous Metallic Triflates and Triflimides under Ultrasonic Activation
001E49 (2012) Design of amphoteric mixed oxides of zinc and Group 3 elements (Al, Ga, In): migration effects on basic features
006801 (2008) Enantioselective hydrogenation of olefins by chiral iridium phosphorothioite complex covalently anchored on mesoporous silica
009844 (2005) Octreotide (long-acting release formulation) treatment in patients with graves' orbitopathy: Clinical results of a four-month, randomized, placebo-controlled, double-blind study
00BB77 (2004) Alloy broadening effect on optical properties of InGaAs grown by MOCVD with TMAs precursor
00C809 (2003) X-ray photoemission studies on InSb clusters
00D252 (2003) InP-based wavelength tunable vertical cavity surface emitting laser structures : Lasers semiconducteurs
00EF25 (2002) Melting studies of indium: determination of the structure and density of melts at high pressures and high temperatures
00F647 (2002) Detection of neuroendocrine tumors: 99mTc-P829 scintigraphy compared with 111In-pentetreotide scintigraphy
011883 (2001) A model for diffusion of beryllium in InGaAs/InP heterostructures
011A34 (2000-12) Préparation par épitaxie par jets moléculaires d'alliages III-V à base de thallium
012620 (2000) Time resolved photoluminescence of homo- and hetero-epitaxial layers of InP grown on GaAs substrates
013923 (1999-12) Conception, réalisation technologique sur InP et caractérisation d'une source d'émission multi-longueurs d'onde pour les applications WDM à 1.5μm
013B17 (1999-10) AMELIORATION DES CONNAISSANCES SUR LE COMPORTEMENT DES REJETS EN MER DE PRODUITS DE DRAGAGE DE TYPE VASE PHENOMENES A COURT TERME ET DANS LE CHAMP PROCHE
013C25 (1999-09) Croissance de InGaAs désaccordé sur substrats compliants réalisés par adhésion moléculaire et fusion désalignée
014562 (1999-01) Fabrication, Caractérisation et Modélisation des Transistors Bipolaires à Double Hétérojonction InP pour Circuits de Communications Optiques à très Hauts Débits (40 Gbit/s)
014569 (1999-01) Conception et étude de micro-cavités opto-mécaniques accordables sur InP pour le démultiplexage en longueur d'onde
014794 (1999) The behaviour of control rod absorber under irradiation
015659 (1999) Be diffusion in InGaAs, InGaAsP epitaxial layers and across InGaZs/InGaAsP, InGaAs/InP heterointerfaces
015912 (1998-12) ETUDE DES EFFETS PARASITES DANS LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION (HFET) SUR SUBSTRAT InP

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