Application of a resonant tunnelling structure to demonstrate subsurface damage and surface migration on InGaAs during AuGe contact anneal
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Auteurs : RBID : Pascal:89-0224044Descripteurs français
- Pascal (Inist)
- Diode, Diode tunnel, Effet tunnel résonnant, Contrôle matériau, Contact électrique, Contact ohmique, Structure stratifiée, Germanium Or Alliage, Nickel, Or, Recuit thermique, Résistance couche, Thermodiffusion, Contrôle qualité, Caractéristique courant tension, Conductivité différentielle négative, Aluminium Indium Arséniure Mixte, Gallium Indium Arséniure Mixte, Indium Phosphure.
- Wicri :
English descriptors
- KwdEn :
- Aluminium Indium Arsenides Mixed, Diode, Electric contact, Film resistor, Gallium Indium Arsenides Mixed, Germanium Gold Alloys, Gold, Indium Phosphides, Laminated structure, Material testing, Negative differential conductivity, Nickel, Ohmic contact, Quality control, Resonant tunnel effect, Thermal annealing, Thermodiffusion, Tunnel diode, Voltage current curve.
Abstract
A l'aide de la structure InAlAs/InGaAs à effet tunnel résonnant on voit que la cohérence à grande distance nécessaire à l'observation de la résistance différentielle négative dépend des recuits à température supérieure à 200°C de durée jusqu'à 120 s. La diminution de la résistance de couche est en corrélation avec la dégradation des caractéristiques de diode tunnel. Une propagation latérale du métal ohmique suivant les directions [110] et [110] est observé pendant les recuits à température supérieure à 370°C
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<record><TEI><teiHeader><fileDesc><titleStmt><title xml:lang="en" level="a">Application of a resonant tunnelling structure to demonstrate subsurface damage and surface migration on InGaAs during AuGe contact anneal</title><author><name sortKey="Lakhani, A A" uniqKey="Lakhani A">A. A. Lakhani</name><affiliation wicri:level="1"><inist:fA14 i1="01"><s1>Allied-Signal Aerospace co.</s1><s2>Columbia MD 21045</s2><s3>USA</s3><sZ>A11011000</sZ></inist:fA14><country>États-Unis</country><wicri:noRegion>Allied-Signal Aerospace co.</wicri:noRegion></affiliation></author><author><name sortKey="Potter, R C" uniqKey="Potter R">R. C. Potter</name></author><author><name sortKey="Beyea, D M" uniqKey="Beyea D">D. M. 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La diminution de la résistance de couche est en corrélation avec la dégradation des caractéristiques de diode tunnel. Une propagation latérale du métal ohmique suivant les directions [110] et [110] est observé pendant les recuits à température supérieure à 370°C</div></front></TEI><inist><standard h6="B"><pA><fA01 i1="01" i2="1"><s0>0268-1242</s0></fA01><fA02 i1="01"><s0>SSTEET</s0></fA02><fA03 i2="1"><s0>Semicond. sci. technol.</s0></fA03><fA05><s2>3</s2></fA05><fA06><s2>6</s2></fA06><fA08 i1="01" i2="1" l="ENG"><s1>Application of a resonant tunnelling structure to demonstrate subsurface damage and surface migration on InGaAs during AuGe contact anneal</s1></fA08><fA11 i1="01" i2="1"><s1>LAKHANI (A. A.)</s1></fA11><fA11 i1="02" i2="1"><s1>POTTER (R. C.)</s1></fA11><fA11 i1="03" i2="1"><s1>BEYEA (D. 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