IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, H. Q. Jia

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001214 (2008)		Characterization of a-plane InN film grown on r-plane sapphire by MOCVD
001300 (2007)		Structural characterization of InN films grown on different buffer layers by metalorganic chemical vapor deposition
001345 (2007)		Near ultraviolet InGaN/GaN MQWs grown on maskless periodically grooved sapphire substrates fabricated by wet chemical etching

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Atomic force microscopy
3	XRD
2	Gallium nitrides
2	III-V semiconductors
2	Indium nitrides
2	MOCVD
2	Optical properties
2	Orientation relation
2	Thin films
1	Absorption spectra
1	Aluminium oxides
1	Buffer layer
1	Chemical etching
1	Crystal structure
1	Dislocations
1	Electroluminescence
1	Electronic properties
1	Energy gap
1	Gallium nitride
1	Growth mechanism
1	III-V compound
1	Indium nitride
1	Multiple quantum well
1	Photoluminescence
1	Rocking curve
1	Roughness
1	SAED
1	Semiconductor materials
1	Template reaction
1	Thick films
1	Transmission electron microscopy
1	Vapor deposition
1	Wet process
1	Wurtzite structure

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « H. Q. Jia »
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