IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, H. Q. Hou

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
002452 (1997-07-07)		Long wavelength (1.3 μm) vertical-cavity surface-emitting lasers with a wafer-bonded mirror and an oxygen-implanted confinement region
002544 (1996-11-15)		High-pressure study of optical transitions in strained In0.2Ga0.8As/GaAs multiple quantum wells
002902 (1991)		Photomodulated transmission spectroscopy of the intersubband transitions in strained In1-xGaxAs/GaAs multiple quantum wells under hydrostatic pressure
002920 (1990)		Pressure dependence of photoluminescence in Inx Ga1-xAs/GaAs strained quantum wells

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
4	Experimental study
2	Gallium Arsenides
2	Gallium Indium Arsenides Mixed
2	Hydrostatic pressure
2	Inorganic compound
2	Interband transition
2	Semiconductor materials
2	Strained quantum well
1	Aluminium arsenides
1	Aluminium compounds
1	Band offset
1	Band structure
1	Charge carrier recombination
1	Chemical composition
1	Confinement
1	Crystal defect
1	Design
1	Dislocation
1	Effective mass
1	Energy gap
1	Energy level
1	Envelope function
1	Fabrication
1	Gain
1	Gallium arsenides
1	Indium compounds
1	Laser cavities
1	Laser mirrors
1	Low temperature
1	Multiple quantum well
1	Optical absorption
1	Optical modulation
1	Optical transition
1	Photoluminescence
1	Quantum effect
1	Quantum well
1	Quantum well lasers
1	Semiconductor lasers
1	Subband
1	Surface emitting lasers
1	Thickness
1	Threshold current

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « H. Q. Hou »
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