Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Molecular beam condensation »
Attention, ce site est en cours de développement !
Attention, site généré par des moyens informatiques à partir de corpus bruts.
Les informations ne sont donc pas validées.
Molecular beam < Molecular beam condensation < Molecular beam epitaxy  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 75.
[0-20] [0 - 20][0 - 50][20-40]
Ident.Authors (with country if any)Title
001616 (1999-01) ETUDE DE LA SENSIBILITE A LA TEMPERATURE DE STRUCTURES LASERS ALUMINO-PHOSPHOREES A MULTI-PUITS QUANTIQUES SUR SUBSTRAT INP
001796 (1998-12) ELABORATION D'HETEROSTRUCTURES A BASE D'ANTIMONIURES. ETUDE ET OPTIMISATION DE LA FORMATION DES INTERFACES InAs/GaSb ET GaSb/InAs
001809 (1998-11) Étude et réalisation de lasers à cavité verticale antimoniures fonctionnant à 1,55 μm sur InP
001875 (1998-04) ETUDE DES MODES DE CROISSANCE ET DES MECANISMES DE RELAXATION DES COUCHES InxGa1-xAs (x < 0,53) CONTRAINTES EN TENSION SUR InP : APPLICATION DANS LA REALISATION D'HETEROSTRUCTURES POUR COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES
001876 (1998-04) Conception et élaboration comparée de structures III-V (111) piézo-électriques épitaxiées par jets moléculaires, sur substrats nominaux et vicinaux, en vue de leur application pour l'optoélectronique
001976 (1998) Long-wavelength (Ga,In)Sb/GaSb strained quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy
001A83 (1997-10) Application des contraintes biaxiales à l'amélioration du transport vertical des trous dans les hétérostructures
001D31 (1996-12) Croissance par épitaxie par jets moléculaires d'hétérostructures à dopage planaire pour application aux transistors HEMT
001F95 (1995-12) Epitaxie de terres rares sur semi-conducteurs II-VI CdTe et CdZnTe: croissance, dopage et caractérisation électrique
002065 (1995-03) «Epitaxie par jets moléculaires d'organo-métalliques d'hétérostructures contraintes In(As,P)/InP: de l'interface au composant photovoltaïque»
002118 (1995) Stability of (114) and (114¯) facets in III-V compounds under usual MBE conditions
002147 (1995) Molecular beam epitaxy of AlGaInAs on patterned InP substrates for optoelectronic applications
002148 (1995) Modern epitaxial techniques for HBT structures
002202 (1995) Continuous molecular beam epitaxy of arsenides and phosphides applied to device structures on InP substrates
002222 (1994-12) «Etude de guides optiques non-linéaires utilisant l'effet photoréfractif dans des semi-conducteurs III-V»
002384 (1994) Low-loss fiber-chip coupling by InGaAsP/InP thick waveguides for guided-wave photonic integrated circuits
002398 (1994) High resistivity InP :Ti,Be by GSMBE
002498 (1993-03) Dopage indium d'hétérostructures CdTe/CdZnTe en Epitaxie par Jets moléculaires
002530 (1993) Thermodynamic analysis of molecular beam epitaxy of compounds in the In-Se system
002539 (1993) Study of the heterointerfaces InSe on GaSe and GaSe on InSe
002582 (1993) Photoluminescence study of the 2D electron gas formed at the interface of strained InGaAs/InP single heterostructures

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i -k "Molecular beam condensation" 
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i  \
                -Sk "Molecular beam condensation" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/biblio.hfd 

Pour mettre un lien sur cette page dans le réseau Wicri

{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    France
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    KwdEn.i
   |clé=    Molecular beam condensation
}}

Wicri

This area was generated with Dilib version V0.5.77.
Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024