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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Molecular beam »
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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 20.
Ident.Authors (with country if any)Title
000236 (2011) Direct epitaxial growth of InP based heterostructures on SrTiO3/Si(0 0 1) crystalline templates
001624 (1999) HEMTS métamorphiques à hétérojonction InxAl1-xAs/InxGa1-xAs sur substrat gaas : Influence du taux d'indium x
001812 (1998-11) Epitaxie par jets moléculaires à sources gazeuses des matériaux (AlGa)InP sur substrat GaAs pour applications hyperfréquences
001852 (1998-07) Caractérisation électrique du quaternaire (Ga0.47 In0.53As)1-x (Al0.48In0.52As)x (x=30%) et Application au transistor HFET pour la photodétection à 1,3-1.55μm.
002328 (1994-01) Elaboration par EJM de structures d'antimoniures. Application à l'optoélectronique
002470 (1993-10) Etude de deux filières lasers émettant vers deux micromètres: filière accordée GaInAsSb/GaSb et filières désaccordée InAs/InP
002471 (1993-10) Elaboration par épitaxie par jets moléculaires et caractérisation d'hétérostructures pseudomorphiques Ga1-xInxAs/AlInAs sur InP pour transistors à haute mobilité d'électrons (HEMT)
002480 (1993-07) Transistor à effet de champ à couche métamorphique AlInAs/GaInAs/GaAs: un nouveau composant pour l'amplification hyperfréquence et la logique ultra rapide
002562 (1993) Scanning photoluminescence characterization of iron-doped gas source molecular beam epitaxy indium phosphide layers
002570 (1993) Raman scattering in InxGa1-xAs/GaAs superlattices grown by molecular beam epitaxy
002618 (1993) Microwave performance of 0.4μm gate metamorphic In0.29Al0.71As/In0.3Ga0.7As HEMT on GaAs substrate
002657 (1993) High speed (≥6 GHz) InGaAs/InP avalanche photodiodes grown by gas source molecular beam epitaxy with a thin quaternary grading layer for high bit rate (≥5 Gbit/s) systems : Microelectronics and optoelectronics III-V
002860 (1992) Interest in AlGalnAs on InP for optoelectronic applications
002A92 (1990) Ultra high transconductance 0•25 μm gate MESFET with strained InGaAs buffer layer
002B00 (1990) The passivation of InP by arsenic surface stabilization and Al2O3 deposition : correlations between interface chemistry and capacitance measurements
002B21 (1990) Optoelectronic devices by gsmbe
002B35 (1990) MOMBE growth of high-quality InP and GalnAs bulk, heterojunction and quantum well layers
002B36 (1990) Low-threshold GRIN-SCH AlGaInAs 1•55 μm quantum well buried ridge structure lasers grown by molecular beam epitaxy
002C02 (1990) 1.55 μm high-gain polarisation-insensitive semiconductor travelling wave amplifier with low driving current
002F04 (1987) Monolithic photoreceiver integrating GaInAs PIN/JFET with diffused junctions

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