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Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques

De Wicri Terre

L'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM, aussi connue sous les acronymes anglophones MOVPE — metalorganic vapor phase epitaxy ou MOCVD — metalorganic chemical vapor deposition, terme plus général) est une technique de croissance cristalline dans laquelle les éléments à déposer, sous forme d'organométalliques ou d'hydrures, sont amenés vers le substrat monocristallin par un gaz vecteur. Cette technique de croissance est particulièrement prisée dans l'industrie des semi-conducteurs III-V en raison de la bonne reproductibilité et des fortes vitesses de croissance accessibles.

La caractéristique principale de ce procédé est que la couche que l'on fait croître est monocristalline (une seule orientation cristalline dans tout son volume) et reproduit l'orientation du substrat, lui-même monocristallin ; c'est ce qu'évoque le nom "épitaxie", composé des racines grecques ἐπί (sur) et τάξις (ordre, arrangement).[1]

Serveur d'exploration V1

Cette partie introduit une première version du « Serveur d'exploration sur l'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques ». Elle s'appuie sur un corpus issue de la base Pascal sur le critère : « MOVPE OU OPVD OU MOCVD ».

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Cette partie introduit le « Serveur d'exploration sur l'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques ». avec un corpus plus important.

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( movpe ou ovpd ou mocvd ou 8105d ou 8105e ou 8105g ou 8115g ou 8115k )

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Voir aussi

Notes
  1. L'introduction de cet article est tirée de Wikipédia :
    Épitaxie en phase vapeur aux organométalliques. (2013, septembre 21). Wikipédia, l'encyclopédie libre. Page consultée le 18:07, octobre 2, 2014 à partir de
    http://fr.wikipedia.org/w/index.php?title=%C3%89pitaxie_en_phase_vapeur_aux_organom%C3%A9talliques&oldid=96860850.