Transistors à effet de champ à base de matériaux moléculaires
Identifieur interne : 003D18 ( Main/Curation ); précédent : 003D17; suivant : 003D19Transistors à effet de champ à base de matériaux moléculaires
Auteurs :Source :
Descripteurs français
- Pascal (Inist)
Abstract
Les transistors à effet de champ en films minces (TFT) connaissent actuellement un développement important: ils peuvent être à base de matériaux covalents amorphes: les propriétés de ces matériaux sont dans les deux premiers chapitres comparées aux propriétés des matériaux moléculaires, en particulier la bisphtalocyanine de Lutetium est un semiconducteur vrai. Il a été précédemment démontré que ce composé pouvait être utilisé pour réaliser des TFT. Le dispositif expérimental est introduit au chapitre 3: préparation des échantillons, mesure des épaisseurs des couches déposées, mesures électriques. Au chapitre 4, on a étudié les propriétés de conduction et la mobilité de déplacement dans la bisphtalocyanine de Thulium: la conductivité à tension suffisamment élevée est limitée par charge d'espace, la mobilité de déplacement est voisine de 7 cm2/V.s., ce qui est une valeur élevée pour une couche mince organique. Le chapitre 5 est le plus important, on étudie la réalisation de transistors à effet de champ, tout d'abord avec les Phtalocyanines de métaux divalents, le zinc et le nickel sur des wafers Si/SiO2. On étudie l'effet, sur ces transistors de différents paramètresn, vitesse de dépôt, écartement des électrodes, épaisseur des couches, vieillissement sous l'atmosphère. On étudie ensuite les TFT à base de bisphtalocyanine de Thulium, sur des wafers de silicium oxydé, puis sur différents substrats. On discute enfin des différents mécanismes rendant compte de l'effet de champ dans les matériaux moléculaires
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