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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Keywords » - entrée « p i n photodiodes »
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p i n junctions < p i n photodiodes < p n heterojunctions  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 4.
Ident.Authors (with country if any)Title
001624 (2006) Gas source MBE grown wavelength extended 2.2 and 2.5 μm InGaAs PIN photodetectors
001B30 (2003) The effects of (NH4)2S passivation treatments on the dark current-voltage characteristics of InGaAsSb PIN detectors
001F93 (2000-11) Study of current leakage in InAs p-i-n photodetectors
002184 (1999-06-28) Light-induced negative differential resistance in planar InP/InGaAs/InP double-heterojunction p-i-n photodiode

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis

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HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/KwdEn.i  \
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