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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Keywords » - entrée « p i n junctions »
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p i n diodes < p i n junctions < p i n photodiodes  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 7.
Ident.Authors (with country if any)Title
000215 (2013) InP Nanowire Array Solar Cells Achieving 13.8% Efficiency by Exceeding the Ray Optics Limit
000792 (2011) Long Wavelength Multiple Resonant Cavities RCE Photodetectors on GaAs Substrates
000922 (2011) Dependence of the Property of InGaN p-i-n Solar Cells on the Light Concentration and Temperature
000E67 (2009) Favourable photovoltaic effects in InGaN pin homojunction solar cell
001624 (2006) Gas source MBE grown wavelength extended 2.2 and 2.5 μm InGaAs PIN photodetectors
001A31 (2004) Design of a resonant-cavity-enhanced GaInAsSb/GaSb photodetector
002513 (1997) GSMBE growth and characterization of InxGa1-xAs/InP strained-layer MQWs in a P-i-N Configuration

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis

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HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/KwdEn.i  \
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