IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, Y. F. Lao

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000441 (2012)		Plasma frequency and dielectric function dependence on doping and temperature for p-type indium phosphide epitaxial films
000730 (2011)		Quantum dot lasers grown by gas source molecular-beam epitaxy
001815 (2005)		GSMBE growth and characterizations of AlInP/InGaAsP strain-compensated multiple-layer heterostructures
001C25 (2003)		Difference of luminescent properties between strained InAsP/InP and strain-compensated InAsP/InGaAsP MQWs

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	GSMBE method
2	Gallium arsenides
2	Indium arsenides
2	Indium phosphide
2	Multiple quantum well
2	Photoluminescence
2	Strained layer
2	XRD
1	Absorption spectra
1	Activation energy
1	Compensation
1	Continuous wave
1	Crystal structure
1	Dielectric function
1	Dislocation density
1	Doping
1	Drude model
1	Effective mass
1	Electron-phonon interactions
1	Energy-level transitions
1	Epitaxial layers
1	Etch pits
1	Experimental study
1	Free carrier
1	Gallium Arsenides phosphides
1	Gallium phosphides
1	Growth mechanism
1	Heterostructures
1	High strain
1	High-resolution methods
1	III-V compound
1	III-V semiconductors
1	Impurity density
1	Indium Arsenides phosphides
1	Indium phosphides
1	Infrared spectra
1	Inorganic compounds
1	Layer thickness
1	Line widths
1	Lorentz law
1	Molecular beam epitaxy
1	Monolayers
1	Multilayers
1	Nanostructured materials
1	Optical constants
1	Output power
1	Quantum dot lasers
1	Quantum dots
1	Quaternary compounds
1	Reflection spectrum
1	Semiconductor lasers
1	Semiconductor materials
1	Strained quantum well
1	Temperature dependence
1	Ternary compounds
1	Thick films

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « Y. F. Lao »
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