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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Transistor gate »
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Transistor channel < Transistor gate < Transistor parameter  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 5.
Ident.Authors (with country if any)Title
000028 (2013) Power Performance at 40 GHz on Quaternary Barrier InAlGaN/GaN HEMT
002278 (1994-06) Transistors à effet de champ à hétérojonction à grille submicrométrique: modélisation des performances limites et comparaison avec les mesures
002516 (1993) Dépôt de nitrure de bore par PECVD pour son utilisation comme isolant de grille dans les structures MISFET sur InP
002667 (1993) Gate length electric parameter dependences of ultra-submicrometre δ-doped pseudomorphic HEMTs
002E45 (1987) Passivation de la surface des semiconducteurs III-V pour la réalisation de l'isolant de grille d'un transistor MISFET. Cas de la sulfuration de InP

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis

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