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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Transistor channel »
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Transistor base < Transistor channel < Transistor gate  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 4.
Ident.Authors (with country if any)Title
000656 (2007) Nanometer transistors for emission and detection of THz radiation
000A22 (2005) 94 GHz high power performances of InAs0,4P0.6 channel HEMTs on InP
001852 (1998-07) Caractérisation électrique du quaternaire (Ga0.47 In0.53As)1-x (Al0.48In0.52As)x (x=30%) et Application au transistor HFET pour la photodétection à 1,3-1.55μm.
001B68 (1997) HEMT sur substrat InP de longueur de grille Lg=0,15 μm : comparaison entre un canal GaInAs et un canal composite GaInAs/InP

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis

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