List of bibliographic references
Number of relevant bibliographic references: 83.
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| Ident. | Authors (with country if any) | Title |
|---|
| 000744 (2006) |
| Very high power operation of 980 nm single-mode InGaAs/AlGaAs pump lasers |
| 000933 (2005) |
| Micro-lens on polarization maintaining fibre for coupling with 1.55 μm quantum dot devices |
| 000B98 (2004) |
| 1.55 μm VCSELs with InP/air-gap distributed bragg reflectors |
| 001616 (1999-01) |
| ETUDE DE LA SENSIBILITE A LA TEMPERATURE DE STRUCTURES LASERS ALUMINO-PHOSPHOREES A MULTI-PUITS QUANTIQUES SUR SUBSTRAT INP |
| 001809 (1998-11) |
| Étude et réalisation de lasers à cavité verticale antimoniures fonctionnant à 1,55 μm sur InP |
| 001810 (1998-11) |
| OPTIMISATION D'UN DUPLEXEUR EN LIGNE FONCTIONNANT A 1,3μm ET A 1,55μm |
| 001867 (1998-05) |
| Etude de la dynamique, de l'émission laser, de l'amplification et de la commutation dans des structures laser à cavité verticale à 1.55μm |
| 001876 (1998-04) |
| Conception et élaboration comparée de structures III-V (111) piézo-électriques épitaxiées par jets moléculaires, sur substrats nominaux et vicinaux, en vue de leur application pour l'optoélectronique |
| 001A55 (1997-12) |
| MODÉLISATION DU BRUIT D'INTENSITÉ DES LASERS InGaAsP ÉTUDE DE LA TRANSLATION DU BRUIT BASSE FRÉQUENCE DANS LA BANDE DU SIGNAL DE MODULATION |
| 001A92 (1997-09) |
| Etude et réalisation de structures de diodes laser à divergence réduite |
| 001A93 (1997-09) |
| EPITAXIE SELECTIVE EN PHASE VAPEUR AUX ORGANOMETALLIQUES POUR INTEGRATION MONOLITHIQUE DE COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES |
| 001B04 (1997-07) |
| ETUDE DE SOURCES INTEGREES LASERS-MODULATEURS POUR TRANSMISSION OPTIQUE A HAUT DEBIT |
| 001B20 (1997-06) |
| Source laser largement accordable et rapidement commutable |
| 001D54 (1996-10) |
| Contribution à l'optimisation de structures lasers à puits quantiques contraints sur InP, à base des systèmes GaInAsP/GaInAsP/InP et GaInAs/GaInAlAs/InP. Applications aux télécommunications optiques |
| 001D60 (1996-09) |
| Etude et développement de diodes lasers sur InP pour la génération de signaux millimétriques |
| 001D61 (1996-09) |
| Conception, fabrication et caractérisation d'une diode laser largement accordable émettant à 1,5 micromètre |
| 001D98 (1996-06) |
| Eléments de conception pour des lasers à cavité verticale émettant à 1,3 micron |
| 001E06 (1996-05) |
| Etude et optimisation de lasers semiconducteurs à puits quantiques dans le système In Ga As/In Ga AlAs/In P pour télécommunications optiques |
| 001F64 (1996) |
| Chirp compensation in mode-locked DFB laser diodes with extended cavity |
| 001F76 (1996) |
| All-optical wavelength converters for optical switching applications |
| 002122 (1995) |
| Singlemode InGaAsP Fabry-Perot lasers at absolute predetermined wavelengths by intracavity Er3+-doped single crystal absorptions |
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