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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Photoreceptor »
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Photoreception < Photoreceptor < Photoreflectance  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 17.
Ident.Authors (with country if any)Title
001849 (1998-07) PHOTODIODES À AVALANCHE À SUPER-RÉSEAUX AIInAs/AIGaInAs À ÉCLAIRAGE LATÉRAL POUR LES TÉLÉCOMMUNICATIONS À 20 Gbit/s
001852 (1998-07) Caractérisation électrique du quaternaire (Ga0.47 In0.53As)1-x (Al0.48In0.52As)x (x=30%) et Application au transistor HFET pour la photodétection à 1,3-1.55μm.
001877 (1998-04) CONCEPTION ET REALISATION DE PHOTORECEPTEURS MILLIMETRIQUES POUR LES TRANSMISSIONS A HAUT DEBIT (40 Gbit/s) ET LA DISTRIBUTION OPTIQUE RADIO (38 et 60 GHz)
001A75 (1997-10) Technologie de photorécepteurs intégrés sur InP
001D27 (1996-12) Gravure Plasma pour Microélectronique InP
001D48 (1996-10) Photodiodes PIN GaA1InAs ultra-rapides et sensibles à éclairage latéral pour transmissions à haut débit sur fibre optique et distribution optique-radio
001F94 (1995-12) Etude et réalisation de transistors HEMT AlInAs/GaInAs/InP pour circuits opto-électroniques à hauts débits
002003 (1995-11) Photodiodes à avalanche à multi-puits quantiques AlInAs/GaInAs
002075 (1995-02) Etude et Réalisation de transistors à effet de champ à canal InP pour l'intégration optoélectronique
002360 (1994) Semiconductor waveguide directional couplers for coherent receivers
002395 (1994) InP-based 10-GHz bandwidth polarization diversity heterodyne photoreceiver with electrooptical adjustability
002396 (1994) InGaAsP channel HFET's on InP for OEIC applications
002455 (1993-12) Transistors à effet de champ GaAs Mesfet réalisés en désaccord de maille sur InP pour l'intégration micro-optoélectronique à 1,3-1,5 micron
002456 (1993-12) Transistors à effet de champ AlInAs/(Al)GaInAs(P) pour photodétection intégrée à 1,3-1,55 microns
002A24 (1991) High optical and electrical quality GaInAs/InP, GaAs/InP double heterostructures for optoelectronic integration
002C93 (1989) 1.3-1.55 μm wavelength integrated photoreceiver using GaInAS/GaAs heteroepitaxy
002F04 (1987) Monolithic photoreceiver integrating GaInAs PIN/JFET with diffused junctions

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis

HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i -k "Photoreceptor" 

HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i  \
                -Sk "Photoreceptor" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/biblio.hfd

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{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    France
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    KwdEn.i
   |clé=    Photoreceptor
}}
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