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Index « Keywords » - entrée « Monolithic integrated circuit »
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List of bibliographic references

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Ident.Authors (with country if any)Title
000012 (2013) Towards a monolithically integrated III-V laser on silicon: optimization of multi-quantum well growth on InP on Si
000036 (2013) Noise Measurements of Discrete HEMT Transistors and Application to Wideband Very Low-Noise Amplifiers
000236 (2011) Direct epitaxial growth of InP based heterostructures on SrTiO3/Si(0 0 1) crystalline templates
000931 (2005) Modeling of a novel InP-based monolithically integrated magneto-optical waveguide isolator
000E86 (2002) Transistors Bipolaires à hétérojonction sur substrat GaAs : Résultats de fiabilité et circuits intégrés monolithiques : Croissance épitaxiale en phase vapeur aux organométalliques
000F70 (2002) Monolithic tunable InP-based vertical cavity surface emitting laser
001539 (1999-09) Circuits intégrés monolithiques en technologie coplanaire pour applications de réception jusque 110 GHz
001578 (1999-05) CONVERTISSEUR MILLIMETRIQUE OPTIQUE À BANDE LATÉRALE UNIQUE POUR LE TRANSPORT RADIO SUR FIBRE
001588 (1999-03) Intégration monolithique de HEMT's sur substrat InP en vue de l'amplification de puissance en bande V
001722 (1999) Hydrogenation of buried passive sections in photonic integrated circuits : a tool to improve propagation losses at ∼ 1.56 μm
001798 (1998-12) Conception, réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ à hétérojonction sur substrat d'InP pour circuits intégrés coplanaires en bandes V et W
001809 (1998-11) Étude et réalisation de lasers à cavité verticale antimoniures fonctionnant à 1,55 μm sur InP
001810 (1998-11) OPTIMISATION D'UN DUPLEXEUR EN LIGNE FONCTIONNANT A 1,3μm ET A 1,55μm
001811 (1998-11) Etude des effets parasites du transistor à haute mobilité électronique (HEMT) sur InP pour applications micro-optoélectroniques
001814 (1998-11) Conception et réalisation de transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrat InP. Application à l'amplification faible bruit en ondes millimétriques
001877 (1998-04) CONCEPTION ET REALISATION DE PHOTORECEPTEURS MILLIMETRIQUES POUR LES TRANSMISSIONS A HAUT DEBIT (40 Gbit/s) ET LA DISTRIBUTION OPTIQUE RADIO (38 et 60 GHz)
001882 (1998-03) Intégration photonique sur InP par épitaxie localisée par jets chimiques
001A75 (1997-10) Technologie de photorécepteurs intégrés sur InP
001A93 (1997-09) EPITAXIE SELECTIVE EN PHASE VAPEUR AUX ORGANOMETALLIQUES POUR INTEGRATION MONOLITHIQUE DE COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES
001B70 (1997) Etude de la détermination de schémas équivalents de transistors sur InP pour la conception d'amplificateurs de puissance à 60 GHz
001D37 (1996-11) Matrice de commutation optique 2x2 à portes amplificatrices intégrée sur InP

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