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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « MIS structures »
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MIS structure < MIS structures < MIS transistor  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 14.
Ident.Authors (with country if any)Title
000497 (2008) Study of the hBN/InP interface by deep level transient and photoluminescence spectroscopies
000C09 (2003-11-15) Influence of oxygen plasma on electrical and physical parameters of Au-oxide-n-InP structures
000C89 (2003) Study and improvement of interfacial properties in a MIS structure based on p-type InP
001284 (2001) Absolute determination of the Fermi level pinning at the dielectric/semiconductor interface in GaAs based heterostructures
001355 (2000-01) Nouvelle méthode d'investigation par effet Hall des états d'interface dans les composants à base d'hétérostructures III-V
001462 (2000) Effect of InSb layer on the interfacial and electrical properties in the structures based on InP
001485 (2000) Analysis of interface states of n-InP MIS structures based on bias dependence of capacitance and photoluminescence intensity
001525 (1999-10) Réalisation de structures métal/isolant/semi-conducteur. Etude par spectroscopies électroniques et caractérisations électriques
001748 (1999) Electrical and gated photoluminescence intensity studies on Schottky and oxidized Schottky structures
001960 (1998) Passivation of III-V compounds used for metal-insulator, InP(100) structures
001A14 (1998) Electrical properties of MIS structures with BN insulating layer
001A70 (1997-11) Electrical properties of metal-insulator-semiconductor structures with silicon nitride dielectrics deposited by low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition distributed electron cyclotron resonance
001C81 (1997) Electrical characterization of alumina layers deposited by evaporation cell on Si and restructured InP substrates
001F61 (1996) Deep levels in Au-POxNyHz-(n)InP MIS structures

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