MIS junctions < MIS structure < MIS structures

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Number of relevant bibliographic references: 47.
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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001088 (2001-07)		Dépôts de nitrure de silicium assistés par plasma à couplage inductif ICP-PECVD. Application à la passivation du transistor à haute mobilité électronique GaInAs/InP
001262 (2001)		Effect of InSb buffer layer in MIS structures based on InP
001438 (2000)		Improved bias-thermal-stress method for the insulator charge measurement of BN/InP MIS structures
001B09 (1997-07)		CONTRIBUTION A L'AMELIORATION DE METHODES DE CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE STRUCTURES MIS (Au/BN/InP) ET MOS
001B65 (1997)		Mise en évidence des défauts profonds dans des structures MIS : Au-PoxNyInz-(n)InP par la méthode FTDLTS
001C20 (1997)		Preparation of boron nitride thin films by microwave plasma enhanced CVD, for semiconductor applications
001C80 (1997)		Electrical conduction in POxNyInZ films deposited on InP
001C99 (1997)		Characterization of phosphorus oxinitride (PON) gate insulators for InP metal-insulator-semiconductor devices
001D47 (1996-10)		Propriétés des couches minces de silicium poreux et d'alumine utilisées pour la microélectronique. Etude par spectroscopies électroniques, ellipsométrie laser et caractérisations électriques C(V)
001D52 (1996-10)		Contribution à la caractérisation des diodes Schottky Oxydées: Application au phosphure d'indium
001E90 (1996)		Photoluminescence intensity study of n-InP diodes in the accumulation regime
001F17 (1996)		Interfacial electrical properties of POxNyInz/n-InP
002030 (1995-09)		Contribution à l'étude des propriétés électroniques des structures M.I.S sur InP (Au/BN/InP)
002139 (1995)		Peak and side data analyses to measure deep levels by DLS-82E lock-in spectrometer
002366 (1994)		Plasma enhanced chemical vapour deposition of boron nitride onto InP
002372 (1994)		On the interface state distribution of BN on InP structures
002441 (1994)		Analysis of InP Schottky/tunnel metal-insulator-semiconductor diode characteristics with a conductance technique
002458 (1993-12)		Préparation et études des couches minces d'oxynitrure de phosphore (PON). Applications à la réalisation des structures mis sur InP
002485 (1993-07)		Etude corrélative d'un plasma multipolaire d'oxygène et des diélectriques formés dans ce plasma sur un substrat semi-conducteur: applicaiton à la passivation du phosphure d'indium
002516 (1993)		Dépôt de nitrure de bore par PECVD pour son utilisation comme isolant de grille dans les structures MISFET sur InP
002527 (1993)		Transport processes in Au/n-InP and Au/oxide/n-InP devices treated in oxygen multipolar plasma

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