Heterojunction phototransistors < Heterojunction transistor < Heterojunctions

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
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000E86 (2002)		Transistors Bipolaires à hétérojonction sur substrat GaAs : Résultats de fiabilité et circuits intégrés monolithiques : Croissance épitaxiale en phase vapeur aux organométalliques
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001428 (2000)		Investigation of carbon-doped base materials grown by CBE for Al-free InP HBTs
001519 (1999-11)		METHODOLOGIE DE CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES HAUT DEBIT EN TECHNOLOGIE TBDH INP POUR LES COMMUNICATIONS OPTIQUES A 40 GB/S
001540 (1999-09)		COMPOSANTS DE TYPE GUIDE D'ONDES SUR InP POUR TELECOMMUNICATIONS MIXTES FIBRE-RADIO
001609 (1999-01)		MISE EN ŒUVRE D'UNE NOUVELLE MÉTHODE DE CARACTÉRISATION EN BRUIT DE COMPOSANTS ACTIFS : ÉTUDE DU BRUIT HF DE DISPOSITIFS À HÉTÉROJONCTION POUR LES APPLICATIONS MILLIMÉTRIQUES
001610 (1999-01)		Fabrication, Caractérisation et Modélisation des Transistors Bipolaires à Double Hétérojonction InP pour Circuits de Communications Optiques à très Hauts Débits (40 Gbit/s)
001795 (1998-12)		ETUDE DES EFFETS PARASITES DANS LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION (HFET) SUR SUBSTRAT InP
001798 (1998-12)		Conception, réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ à hétérojonction sur substrat d'InP pour circuits intégrés coplanaires en bandes V et W
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001853 (1998-07)		CARACTERISATION ET BRUIT DE FOND DE TRANSISTORS BIPOLAIRES
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001895 (1998-01)		ETUDE DES EFFETS PARASITES DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION ET CANAL DOPE (HFET) SUR InP
001896 (1998-01)		Conception, réalisation et caractérisation de transistors bipolaires de puissance à hétérojonction GaInP/GaAs et comparaison avec les TBH's GaAlAs/GaAs
001984 (1998)		Investigation on base surface recombination in Self Passivated GaAlAs/GalnP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor
001A01 (1998)		Growth characteristics of hydride-free chemical beam epitaxy and application to GaLnP/GaAs heterojunction bipolar transistors
001A19 (1998)		Doping optimizations for InGaAs/InP composite channel HEMTs
001A26 (1998)		CBE growth of carbon doped InGaAs/InP HBTs for 25 Gbit/s circuits
001A54 (1997-12)		Modélisation non linéaire des Transistors Bipolaires à Hétérojonction pour la conception des circuits micro-ondes. Méthodes de caractérisation associées au modèle

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis

HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i -k "Heterojunction transistor" 

HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i  \
                -Sk "Heterojunction transistor" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/biblio.hfd 

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{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    France
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    KwdEn.i
   |clé=    Heterojunction transistor
}}

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