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Index « Keywords » - entrée « Field effect transistors »
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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 13.
Ident.Authors (with country if any)Title
000039 (2013) Nanowire-based field effect transistors for terahertz detection and imaging systems : TERAHERTZ NANOTECHNOLOGY
000054 (2013) High frequency top-down junction-less silicon nanowire resonators
000099 (2012) Room-Temperature Terahertz Detectors Based on Semiconductor Nanowire Field-Effect Transistors
000270 (2010) Sb-based laser sources grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates
000332 (2010) Efficient terahertz mixer from plasma wave downconversion in InGaAs HEMT
000877 (2005) Terahertz generation by plasma waves in nanometer gate high electron mobility transistors
001411 (2000) Output conductance dispersion and drain current transients in InP-HFETs: Observations and equivalent circuit model
001573 (1999-05-15) Impact ionization in InAlAs/InP single channel heterojunction field effect transistors
001969 (1998) New aspects and mechanism of kink effect in InAlAs/InGaAs/InP inverted HFET's
001A67 (1997-11) Élaboration par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) de films minces de nitrure de bore (BN) sur phosphure d'indium (InP)
001F10 (1996) Low excess noise of InAlAs/InP HFETs fabricated using selective dry recess etching
002063 (1995-03-01) Electroluminescence spectroscopy of AlGaAs/InGaAs and AlGaAs/GaAs high-electron-mobility transistors
002474 (1993-09) «Caractérisation par spectrométrie Raman de matériaux III-V: Applications à l'étude de structures contraintes GaInAs/GaAs et de HEMT AlInAs/GaInAs/InP»

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