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Number of relevant bibliographic references: 76.
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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000059 (2013)		Fabrication and characterization of a δ-dope InAs/InP core shell nanowire transistor
000069 (2013)		Contact vs bulk effects in N-semi-insulating-N and P-semi-insulating-P diodes
000656 (2007)		Nanometer transistors for emission and detection of THz radiation
000F03 (2002)		Subterahertz detection by high electron mobility transistors at large forward gate bias
001300 (2000-12)		Etude du Phénomène d'Ionisation par Choc dans les Semi-Conducteurs III-V : Application aux Transistors à Effet de Champ
001348 (2000-02)		Réalisation technologique de transistors à effet de champ dans les filières InP et GaN pour amplification de puissance hyperfréquence
001588 (1999-03)		Intégration monolithique de HEMT's sur substrat InP en vue de l'amplification de puissance en bande V
001595 (1999-02)		Etude de la technologie et des potentialités pour l'amplification de puissance hyperfréquence des transistors à effet de champ des filières phosphure AlGaInP/GaInAs et métamorphique AlInAs/GaInAs sur substrat GaAs
001613 (1999-01)		Etude des propriétés physiques et électriques de transistors MOS fortement submicroniques (0.1μm et sub-0.1μm)
001624 (1999)		HEMTS métamorphiques à hétérojonction InxAl1-xAs/InxGa1-xAs sur substrat gaas : Influence du taux d'indium x
001795 (1998-12)		ETUDE DES EFFETS PARASITES DANS LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION (HFET) SUR SUBSTRAT InP
001798 (1998-12)		Conception, réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ à hétérojonction sur substrat d'InP pour circuits intégrés coplanaires en bandes V et W
001811 (1998-11)		Etude des effets parasites du transistor à haute mobilité électronique (HEMT) sur InP pour applications micro-optoélectroniques
001814 (1998-11)		Conception et réalisation de transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrat InP. Application à l'amplification faible bruit en ondes millimétriques
001862 (1998-06)		Nouvelles applications hyperfréquences et optoélectroniques des transistors à transfert électronique FECTED
001889 (1998-02)		ETUDE THEORIQUE ET OPTIMISATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE LA FILIERE InP ET DE LA FILIERE GaN
001895 (1998-01)		ETUDE DES EFFETS PARASITES DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION ET CANAL DOPE (HFET) SUR InP
001A75 (1997-10)		Technologie de photorécepteurs intégrés sur InP
001B09 (1997-07)		CONTRIBUTION A L'AMELIORATION DE METHODES DE CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE STRUCTURES MIS (Au/BN/InP) ET MOS
001B24 (1997-06)		Passivation des semi-conducteurs III-V à base d'InP avec un procédé intégré incluant un plasma DECR d'ammoniac et un dépôt photochimique de nitrure de silicium
001B83 (1997)		Uniform InAlAs/InP HFET fabricated using selective dry recess etching

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