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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Deep energy levels »
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Deep electron traps < Deep energy levels < Deep level  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 10.
Ident.Authors (with country if any)Title
000E76 (2002-02-15) Thermal annealing study of 1 MeV electron-irradiation-induced defects in n+p InGaP diodes and solar cells
001072 (2001-10-15) Determination of traps in poly(p-phenylene vinylene) light emitting diodes by charge-based deep level transient spectroscopy
001505 (1999-12) TRANSPORT DANS LES COMPOSANTS EN PRESENCE DE CENTRES PROFONDS : MODELISATION NUMERIQUE ET ANALYTIQUE
001546 (1999-08-01) Theoretical and experimental studies in n-type modulation-doped InxGa1-xAs/InyAl1-yAs/InP magnetic sensors
001800 (1998-12) CARACTERISATION DE MATERIAUX SEMI-ISOLANTS PAR SPECTROSCOPIE DE TRANSITOIRE DE COURANT PHOTOINDUIT : MATERIAUX InP DOPES Fe POUR LA MICRO-OPTOELECTRONIQUE ET CdZnTe POUR LA DETECTION NUCLEAIRE
001865 (1998-05-01) Tin-related double acceptors in gallium selenide single crystals
002083 (1995-01-01) Admittance spectroscopy of InAlAs/InGaAs single-quantum-well structure with high concentration of electron traps in InAlAs layers
002280 (1994-06) Propriétés électriques, optiques et électro-optiques du semiconducteur CdTn2Te4
002325 (1994-01-01) Carrier compensation induced by rapid thermal annealing in undoped InP
002745 (1993) A method to correct for leakage current effects in deep level transient spectroscopy measurements on Schottky diodes

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