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Index « Keywords » - entrée « Chemical beam condensation »
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Chemical bath deposition < Chemical beam condensation < Chemical beam epitaxy  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 14.
Ident.Authors (with country if any)Title
001A01 (1998) Growth characteristics of hydride-free chemical beam epitaxy and application to GaLnP/GaAs heterojunction bipolar transistors
001A26 (1998) CBE growth of carbon doped InGaAs/InP HBTs for 25 Gbit/s circuits
002069 (1995-03) Epitaxie localisée par jets chimiques sur substrats GaAs et InP
002102 (1995) Uniform selective area growth of GaAs and GaInP by low temperature chemical beam epitaxy
002148 (1995) Modern epitaxial techniques for HBT structures
002192 (1995) Dependence of InP and GaAs chemical beam epitaxy growth rate on substrate orientations ; applications to selective area epitaxy
002225 (1994-12) Optimisation du transistor bipolaire à hétérojonction GaAs à fort dopage de base
002301 (1994-04) Elaboration d'une technologie planar par reprise d'épitaxie sélective par jets chimiques pour TBH GaInP/GaAs
002461 (1993-12) Etude de nouveaux précurseurs organophosphorés pour l'épitaxie par jets chimiques du phosphure d'indium
002567 (1993) Room temperature 600mW CW output power per facet from single GaInAs/GaAs/GaInP large area laser diode grown by CBE
002659 (1993) High quality 0.98 μm GaInAs/GaAs/GaInP lasers growth by CBE using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine
002725 (1993) Chemical beam epitaxy of Ga0.5In0.5P using tertiarybutylphosphine
002791 (1992) Universal iron behaviour in Zn-, Cd- and Be-doped p-type InP
002A16 (1991) Incorporation of group III and group V elements in chemical beam epitaxy of GaInAsP alloys

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