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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Auteurs » - entrée « S. L. Feng »
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S. L. Delage < S. L. Feng < S. L. Lee  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 2.
Ident.Authors (with country if any)Title
002737 (1993) Band offset of GaAs-GaInP heterojunctions
002A56 (1991) Defects in organometallic vapor-phase epitaxy-grown GaInP layers

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
2Experimental study
2Semiconductor materials
1Band offset
1Binary compounds
1CV characteristic
1Charge carrier concentration
1Charge carrier trapping
1Conduction bands
1Deep level transient spectrometry
1Defect level
1Free carrier
1Gallium Indium Phosphides Mixed
1Gallium arsenides
1Gallium phosphides
1IV characteristic
1Indium phosphides
1Inorganic compound
1Photoluminescence
1Temperature dependence
1Ternary compounds
1Thin film
1Voltage capacity curve

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis

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                -Sk "S. L. Feng" \
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   |flux=    France
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   |index=    Author.i
   |clé=    S. L. Feng
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