IndiumV3, France, Analysis, indexItem, Author.i, J. L. Guyaux

J. L. Gentner < J. L. Guyaux < J. L. Hazemann

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001234 (2001)		In situ etching at InGaAs/GaAs quantum well interfaces
001557 (1999-06-28)		An efficient way to improve compositional abruptness at the GaAs on GaInAs interface
001737 (1999)		Epitaxially stacked GaAs/GaAlAs lasers using a low-resistance tunnel junction
001A45 (1997-12-29)		Epitaxially stacked lasers with Esaki junctions: A bipolar cascade laser

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
4	Gallium arsenides
3	Chemical beam epitaxy
3	Experimental study
3	III-V semiconductors
2	Indium arsenides
2	Indium compounds
2	Semiconductor lasers
1	Aluminium arsenides
1	Aluminium compounds
1	Arsenic chlorides
1	Carbon additions
1	Chemical etching
1	Crystal growth from vapors
1	Doped materials
1	Epitaxial layers
1	Etching
1	IV characteristic
1	In situ
1	Instrumentation
1	Interface structure
1	Laser diodes
1	Photoluminescence
1	Quantum well lasers
1	Quantum wells
1	RHEED
1	SCH lasers
1	SIMS
1	Segregation
1	Semiconductor epitaxial layers
1	Semiconductor heterojunctions
1	Semiconductor materials
1	Solid-solid interfaces
1	Strained quantum well
1	Sulfur additions
1	Surface segregation
1	Surface treatments
1	Ternary compounds
1	Tunnel diodes
1	Tunnel effect

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France) Index « Auteurs » - entrée « J. L. Guyaux »
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