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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Auteurs » - entrée « Z. Z. Gan »
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Z. Z. Chen < Z. Z. Gan < Z. Z. Hu  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 2.
Ident.Authors (with country if any)Title
001B89 (2003) InGaN/GaN MQW high brightness LED grown by MOCVD
002406 (1998) Growth and doping characteristics of InGaN films grown by low pressure MOCVD

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
2MOCVD
2Photoluminescence
1Binary compound
1Cathodoluminescence
1Composition effect
1Doped materials
1Experimental study
1Fabrication property relation
1Gallium nitride
1Gallium nitrides
1Indium nitride
1Indium nitrides
1Light emitting diode
1Microelectronic fabrication
1Microstructure
1Multiple quantum well
1Optoelectronic device
1Quantum dot
1Semiconductor materials
1Silicon additions
1Size effect
1Temperature effect
1Ternary compound
1Ternary compounds
1Thickness
1Thin films
1X ray diffraction
1Zinc additions

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis

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                -Sk "Z. Z. Gan" \
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   |area=    IndiumV3
   |flux=    Chine
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    Author.i
   |clé=    Z. Z. Gan
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