Etude quantitative par absorption optique de l'homogeneite de monocristaux d'arseniure de gallium
Identifieur interne : 000404 ( Istex/Corpus ); précédent : 000403; suivant : 000405Etude quantitative par absorption optique de l'homogeneite de monocristaux d'arseniure de gallium
Auteurs : P. Leyral ; D. Bois ; P. PinardSource :
- Journal of Solid State Chemistry [ 0022-4596 ] ; 1973.
Abstract
En utilisant un spot analyseur de faible surface (100 × 100 μm) et des énergies variables pour la lumière incidente, on a mesuré le coefficient d'absorption optique en divers points d'échantillons d'arséniure de gallium de type n. On observe des hétérogénéités qui, dans le cas de matériaux fortement dopés, doivent être attribuées aux fluctuations du taux de porteurs libres en différents points de l'échantillon, tandis que pour les dopages plus faibles, ce sont les dislocations qui, par le drainage des impuretés, sont à l'origine des variations observées.
Url:
DOI: 10.1016/0022-4596(73)90231-4
Links to Exploration step
ISTEX:50B810BF740CF65556612FBF715218334D2C1E26Le document en format XML
<record><TEI wicri:istexFullTextTei="biblStruct"><teiHeader><fileDesc><titleStmt><title xml:lang="fr">Etude quantitative par absorption optique de l'homogeneite de monocristaux d'arseniure de gallium</title>
<author><name sortKey="Leyral, P" sort="Leyral, P" uniqKey="Leyral P" first="P." last="Leyral">P. Leyral</name>
<affiliation><mods:affiliation>Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, France</mods:affiliation>
</affiliation>
</author>
<author><name sortKey="Bois, D" sort="Bois, D" uniqKey="Bois D" first="D." last="Bois">D. Bois</name>
<affiliation><mods:affiliation>Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, France</mods:affiliation>
</affiliation>
</author>
<author><name sortKey="Pinard, P" sort="Pinard, P" uniqKey="Pinard P" first="P." last="Pinard">P. Pinard</name>
<affiliation><mods:affiliation>Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, France</mods:affiliation>
</affiliation>
</author>
</titleStmt>
<publicationStmt><idno type="wicri:source">ISTEX</idno>
<idno type="RBID">ISTEX:50B810BF740CF65556612FBF715218334D2C1E26</idno>
<date when="1973" year="1973">1973</date>
<idno type="doi">10.1016/0022-4596(73)90231-4</idno>
<idno type="url">https://api.istex.fr/document/50B810BF740CF65556612FBF715218334D2C1E26/fulltext/pdf</idno>
<idno type="wicri:Area/Istex/Corpus">000404</idno>
<idno type="wicri:explorRef" wicri:stream="Istex" wicri:step="Corpus" wicri:corpus="ISTEX">000404</idno>
</publicationStmt>
<sourceDesc><biblStruct><analytic><title level="a" type="main" xml:lang="fr">Etude quantitative par absorption optique de l'homogeneite de monocristaux d'arseniure de gallium</title>
<author><name sortKey="Leyral, P" sort="Leyral, P" uniqKey="Leyral P" first="P." last="Leyral">P. Leyral</name>
<affiliation><mods:affiliation>Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, France</mods:affiliation>
</affiliation>
</author>
<author><name sortKey="Bois, D" sort="Bois, D" uniqKey="Bois D" first="D." last="Bois">D. Bois</name>
<affiliation><mods:affiliation>Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, France</mods:affiliation>
</affiliation>
</author>
<author><name sortKey="Pinard, P" sort="Pinard, P" uniqKey="Pinard P" first="P." last="Pinard">P. Pinard</name>
<affiliation><mods:affiliation>Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, France</mods:affiliation>
</affiliation>
</author>
</analytic>
<monogr></monogr>
<series><title level="j">Journal of Solid State Chemistry</title>
<title level="j" type="abbrev">YJSSC</title>
<idno type="ISSN">0022-4596</idno>
<imprint><publisher>ELSEVIER</publisher>
<date type="published" when="1973">1973</date>
<biblScope unit="volume">6</biblScope>
<biblScope unit="issue">3</biblScope>
<biblScope unit="page" from="406">406</biblScope>
<biblScope unit="page" to="410">410</biblScope>
</imprint>
<idno type="ISSN">0022-4596</idno>
</series>
<idno type="istex">50B810BF740CF65556612FBF715218334D2C1E26</idno>
<idno type="DOI">10.1016/0022-4596(73)90231-4</idno>
<idno type="PII">0022-4596(73)90231-4</idno>
</biblStruct>
</sourceDesc>
<seriesStmt><idno type="ISSN">0022-4596</idno>
</seriesStmt>
</fileDesc>
<profileDesc><textClass></textClass>
<langUsage><language ident="fr">fr</language>
</langUsage>
</profileDesc>
</teiHeader>
<front><div type="abstract" xml:lang="fr">En utilisant un spot analyseur de faible surface (100 × 100 μm) et des énergies variables pour la lumière incidente, on a mesuré le coefficient d'absorption optique en divers points d'échantillons d'arséniure de gallium de type n. On observe des hétérogénéités qui, dans le cas de matériaux fortement dopés, doivent être attribuées aux fluctuations du taux de porteurs libres en différents points de l'échantillon, tandis que pour les dopages plus faibles, ce sont les dislocations qui, par le drainage des impuretés, sont à l'origine des variations observées.</div>
</front>
</TEI>
<istex><corpusName>elsevier</corpusName>
<author><json:item><name>P. Leyral</name>
<affiliations><json:string>Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, France</json:string>
</affiliations>
</json:item>
<json:item><name>D. Bois</name>
<affiliations><json:string>Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, France</json:string>
</affiliations>
</json:item>
<json:item><name>P. Pinard</name>
<affiliations><json:string>Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, France</json:string>
</affiliations>
</json:item>
</author>
<language><json:string>fre</json:string>
</language>
<originalGenre><json:string>Full-length article</json:string>
</originalGenre>
<abstract>Abstract: The optical absorption coeffient of n-type gallium arsenide is measured at many places of samples with an infrared microscope (spot of 100 × 100 μm) and variable energies for the incident light. The inhomogeneities we observed are associated with free carrier density fluctuations in heavily doped single crystals and with the impurities diffusion around dislocations in lower ones.</abstract>
<qualityIndicators><score>3.331</score>
<pdfVersion>1.3</pdfVersion>
<pdfPageSize>504 x 720 pts</pdfPageSize>
<refBibsNative>true</refBibsNative>
<keywordCount>0</keywordCount>
<abstractCharCount>560</abstractCharCount>
<pdfWordCount>2287</pdfWordCount>
<pdfCharCount>14879</pdfCharCount>
<pdfPageCount>5</pdfPageCount>
<abstractWordCount>87</abstractWordCount>
</qualityIndicators>
<title>Etude quantitative par absorption optique de l'homogeneite de monocristaux d'arseniure de gallium</title>
<pii><json:string>0022-4596(73)90231-4</json:string>
</pii>
<refBibs><json:item><host><volume>37</volume>
<pages><first>1858</first>
</pages>
<author></author>
<title>J. Appl. Phys.</title>
</host>
</json:item>
<json:item><host><volume>36</volume>
<pages><first>2544</first>
</pages>
<author></author>
<title>J. Appl. Phys.</title>
</host>
</json:item>
<json:item><host><pages><first>118</first>
</pages>
<author></author>
<title>Proc. Int. Symp. Gallium Arsenide, 3rd, Inst. Phys. Soc. Conf. Ser.</title>
</host>
</json:item>
<json:item><host><volume>1</volume>
<pages><first>575</first>
</pages>
<author></author>
<title>Met. Trans.</title>
</host>
</json:item>
<json:item><host><volume>114</volume>
<pages><first>153</first>
</pages>
<author></author>
<title>J. Electrochem. Soc.</title>
</host>
</json:item>
<json:item><host><volume>39</volume>
<pages><first>2931</first>
</pages>
<author></author>
<title>J. Appl. Phys.</title>
</host>
</json:item>
<json:item><host><volume>1</volume>
<pages><first>427</first>
</pages>
<author></author>
<title>Sov. Phys. Semicond.</title>
</host>
</json:item>
<json:item><host><volume>3</volume>
<pages><first>1189</first>
</pages>
<author></author>
<title>Sov. Phys. Semicond.</title>
</host>
</json:item>
<json:item><host><volume>58</volume>
<pages><first>1230</first>
</pages>
<author></author>
<title>J. Opt. Soc. Amer.</title>
</host>
</json:item>
<json:item><host><volume>43</volume>
<pages><first>984</first>
</pages>
<author></author>
<title>J. Opt. Soc. Amer.</title>
</host>
</json:item>
<json:item><host><volume>7</volume>
<pages><first>85</first>
</pages>
<author></author>
<title>Phys. Status Solidi</title>
</host>
</json:item>
<json:item><host><volume>133</volume>
<pages><first>866</first>
</pages>
<author></author>
<title>Phys. Rev.</title>
</host>
</json:item>
<json:item><host><volume>113</volume>
<pages><first>292</first>
</pages>
<author></author>
<title>J. Electrochem. Soc.</title>
</host>
</json:item>
<json:item><host><volume>7</volume>
<pages><first>490</first>
</pages>
<author></author>
<title>Jap. J. Appl. Phys.</title>
</host>
</json:item>
<json:item><host><volume>242</volume>
<pages><first>413</first>
</pages>
<author></author>
<title>Trans. AIME</title>
</host>
</json:item>
<json:item><host><volume>3</volume>
<pages><first>1</first>
</pages>
<author></author>
<title>Cryogenics</title>
</host>
</json:item>
</refBibs>
<genre><json:string>research-article</json:string>
</genre>
<host><volume>6</volume>
<pii><json:string>S0022-4596(00)X0289-7</json:string>
</pii>
<pages><last>410</last>
<first>406</first>
</pages>
<issn><json:string>0022-4596</json:string>
</issn>
<issue>3</issue>
<genre><json:string>journal</json:string>
</genre>
<language><json:string>unknown</json:string>
</language>
<title>Journal of Solid State Chemistry</title>
<publicationDate>1973</publicationDate>
</host>
<categories><wos><json:string>science</json:string>
<json:string>chemistry, physical</json:string>
<json:string>chemistry, inorganic & nuclear</json:string>
</wos>
<scienceMetrix><json:string>natural sciences</json:string>
<json:string>chemistry</json:string>
<json:string>inorganic & nuclear chemistry</json:string>
</scienceMetrix>
</categories>
<publicationDate>1973</publicationDate>
<copyrightDate>1973</copyrightDate>
<doi><json:string>10.1016/0022-4596(73)90231-4</json:string>
</doi>
<id>50B810BF740CF65556612FBF715218334D2C1E26</id>
<score>0.14865324</score>
<fulltext><json:item><extension>pdf</extension>
<original>true</original>
<mimetype>application/pdf</mimetype>
<uri>https://api.istex.fr/document/50B810BF740CF65556612FBF715218334D2C1E26/fulltext/pdf</uri>
</json:item>
<json:item><extension>zip</extension>
<original>false</original>
<mimetype>application/zip</mimetype>
<uri>https://api.istex.fr/document/50B810BF740CF65556612FBF715218334D2C1E26/fulltext/zip</uri>
</json:item>
<istex:fulltextTEI uri="https://api.istex.fr/document/50B810BF740CF65556612FBF715218334D2C1E26/fulltext/tei"><teiHeader><fileDesc><titleStmt><title level="a" type="main" xml:lang="fr">Etude quantitative par absorption optique de l'homogeneite de monocristaux d'arseniure de gallium</title>
</titleStmt>
<publicationStmt><authority>ISTEX</authority>
<publisher>ELSEVIER</publisher>
<availability><p>ELSEVIER</p>
</availability>
<date>1973</date>
</publicationStmt>
<sourceDesc><biblStruct type="inbook"><analytic><title level="a" type="main" xml:lang="fr">Etude quantitative par absorption optique de l'homogeneite de monocristaux d'arseniure de gallium</title>
<author xml:id="author-1"><persName><forename type="first">P.</forename>
<surname>Leyral</surname>
</persName>
<affiliation>Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, France</affiliation>
</author>
<author xml:id="author-2"><persName><forename type="first">D.</forename>
<surname>Bois</surname>
</persName>
<affiliation>Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, France</affiliation>
</author>
<author xml:id="author-3"><persName><forename type="first">P.</forename>
<surname>Pinard</surname>
</persName>
<affiliation>Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, France</affiliation>
</author>
</analytic>
<monogr><title level="j">Journal of Solid State Chemistry</title>
<title level="j" type="abbrev">YJSSC</title>
<idno type="pISSN">0022-4596</idno>
<idno type="PII">S0022-4596(00)X0289-7</idno>
<imprint><publisher>ELSEVIER</publisher>
<date type="published" when="1973"></date>
<biblScope unit="volume">6</biblScope>
<biblScope unit="issue">3</biblScope>
<biblScope unit="page" from="406">406</biblScope>
<biblScope unit="page" to="410">410</biblScope>
</imprint>
</monogr>
<idno type="istex">50B810BF740CF65556612FBF715218334D2C1E26</idno>
<idno type="DOI">10.1016/0022-4596(73)90231-4</idno>
<idno type="PII">0022-4596(73)90231-4</idno>
</biblStruct>
</sourceDesc>
</fileDesc>
<profileDesc><creation><date>1973</date>
</creation>
<langUsage><language ident="fr">fr</language>
</langUsage>
<abstract xml:lang="fr"><p>En utilisant un spot analyseur de faible surface (100 × 100 μm) et des énergies variables pour la lumière incidente, on a mesuré le coefficient d'absorption optique en divers points d'échantillons d'arséniure de gallium de type n. On observe des hétérogénéités qui, dans le cas de matériaux fortement dopés, doivent être attribuées aux fluctuations du taux de porteurs libres en différents points de l'échantillon, tandis que pour les dopages plus faibles, ce sont les dislocations qui, par le drainage des impuretés, sont à l'origine des variations observées.</p>
</abstract>
<abstract xml:lang="en"><p>Abstract: The optical absorption coeffient of n-type gallium arsenide is measured at many places of samples with an infrared microscope (spot of 100 × 100 μm) and variable energies for the incident light. The inhomogeneities we observed are associated with free carrier density fluctuations in heavily doped single crystals and with the impurities diffusion around dislocations in lower ones.</p>
</abstract>
</profileDesc>
<revisionDesc><change when="1973">Published</change>
</revisionDesc>
</teiHeader>
</istex:fulltextTEI>
<json:item><extension>txt</extension>
<original>false</original>
<mimetype>text/plain</mimetype>
<uri>https://api.istex.fr/document/50B810BF740CF65556612FBF715218334D2C1E26/fulltext/txt</uri>
</json:item>
</fulltext>
<metadata><istex:metadataXml wicri:clean="Elsevier, elements deleted: tail"><istex:xmlDeclaration>version="1.0" encoding="utf-8"</istex:xmlDeclaration>
<istex:docType PUBLIC="-//ES//DTD journal article DTD version 4.5.2//EN//XML" URI="art452.dtd" name="istex:docType"></istex:docType>
<istex:document><converted-article version="4.5.2" docsubtype="fla" xml:lang="fr"><item-info><jid>YJSSC</jid>
<aid>73902314</aid>
<ce:pii>0022-4596(73)90231-4</ce:pii>
<ce:doi>10.1016/0022-4596(73)90231-4</ce:doi>
<ce:copyright type="unknown" year="1973"></ce:copyright>
</item-info>
<head><ce:title>Etude quantitative par absorption optique de l'homogeneite de monocristaux d'arseniure de gallium</ce:title>
<ce:author-group><ce:author><ce:given-name>P.</ce:given-name>
<ce:surname>Leyral</ce:surname>
</ce:author>
<ce:author><ce:given-name>D.</ce:given-name>
<ce:surname>Bois</ce:surname>
</ce:author>
<ce:author><ce:given-name>P.</ce:given-name>
<ce:surname>Pinard</ce:surname>
</ce:author>
<ce:affiliation><ce:textfn>Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, France</ce:textfn>
</ce:affiliation>
</ce:author-group>
<ce:date-received day="15" month="6" year="1972"></ce:date-received>
<ce:abstract><ce:section-title>Résumé</ce:section-title>
<ce:abstract-sec><ce:simple-para>En utilisant un spot analyseur de faible surface (100 × 100 μm) et des énergies variables pour la lumière incidente, on a mesuré le coefficient d'absorption optique en divers points d'échantillons d'arséniure de gallium de type n. On observe des hétérogénéités qui, dans le cas de matériaux fortement dopés, doivent être attribuées aux fluctuations du taux de porteurs libres en différents points de l'échantillon, tandis que pour les dopages plus faibles, ce sont les dislocations qui, par le drainage des impuretés, sont à l'origine des variations observées.</ce:simple-para>
</ce:abstract-sec>
</ce:abstract>
<ce:abstract xml:lang="en"><ce:section-title>Abstract</ce:section-title>
<ce:abstract-sec><ce:simple-para>The optical absorption coeffient of <ce:italic>n</ce:italic>
-type gallium arsenide is measured at many places of samples with an infrared microscope (spot of 100 × 100 μm) and variable energies for the incident light. The inhomogeneities we observed are associated with free carrier density fluctuations in heavily doped single crystals and with the impurities diffusion around dislocations in lower ones.</ce:simple-para>
</ce:abstract-sec>
</ce:abstract>
</head>
</converted-article>
</istex:document>
</istex:metadataXml>
<mods version="3.6"><titleInfo lang="fr"><title>Etude quantitative par absorption optique de l'homogeneite de monocristaux d'arseniure de gallium</title>
</titleInfo>
<titleInfo type="alternative" lang="fr" contentType="CDATA"><title>Etude quantitative par absorption optique de l'homogeneite de monocristaux d'arseniure de gallium</title>
</titleInfo>
<name type="personal"><namePart type="given">P.</namePart>
<namePart type="family">Leyral</namePart>
<affiliation>Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, France</affiliation>
<role><roleTerm type="text">author</roleTerm>
</role>
</name>
<name type="personal"><namePart type="given">D.</namePart>
<namePart type="family">Bois</namePart>
<affiliation>Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, France</affiliation>
<role><roleTerm type="text">author</roleTerm>
</role>
</name>
<name type="personal"><namePart type="given">P.</namePart>
<namePart type="family">Pinard</namePart>
<affiliation>Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, France</affiliation>
<role><roleTerm type="text">author</roleTerm>
</role>
</name>
<typeOfResource>text</typeOfResource>
<genre type="research-article" displayLabel="Full-length article"></genre>
<originInfo><publisher>ELSEVIER</publisher>
<dateIssued encoding="w3cdtf">1973</dateIssued>
<copyrightDate encoding="w3cdtf">1973</copyrightDate>
</originInfo>
<language><languageTerm type="code" authority="iso639-2b">fre</languageTerm>
<languageTerm type="code" authority="rfc3066">fr</languageTerm>
</language>
<physicalDescription><internetMediaType>text/html</internetMediaType>
</physicalDescription>
<abstract lang="fr">En utilisant un spot analyseur de faible surface (100 × 100 μm) et des énergies variables pour la lumière incidente, on a mesuré le coefficient d'absorption optique en divers points d'échantillons d'arséniure de gallium de type n. On observe des hétérogénéités qui, dans le cas de matériaux fortement dopés, doivent être attribuées aux fluctuations du taux de porteurs libres en différents points de l'échantillon, tandis que pour les dopages plus faibles, ce sont les dislocations qui, par le drainage des impuretés, sont à l'origine des variations observées.</abstract>
<abstract lang="en">Abstract: The optical absorption coeffient of n-type gallium arsenide is measured at many places of samples with an infrared microscope (spot of 100 × 100 μm) and variable energies for the incident light. The inhomogeneities we observed are associated with free carrier density fluctuations in heavily doped single crystals and with the impurities diffusion around dislocations in lower ones.</abstract>
<relatedItem type="host"><titleInfo><title>Journal of Solid State Chemistry</title>
</titleInfo>
<titleInfo type="abbreviated"><title>YJSSC</title>
</titleInfo>
<genre type="journal">journal</genre>
<originInfo><dateIssued encoding="w3cdtf">197303</dateIssued>
</originInfo>
<identifier type="ISSN">0022-4596</identifier>
<identifier type="PII">S0022-4596(00)X0289-7</identifier>
<part><date>197303</date>
<detail type="volume"><number>6</number>
<caption>vol.</caption>
</detail>
<detail type="issue"><number>3</number>
<caption>no.</caption>
</detail>
<extent unit="issue pages"><start>329</start>
<end>456</end>
</extent>
<extent unit="pages"><start>406</start>
<end>410</end>
</extent>
</part>
</relatedItem>
<identifier type="istex">50B810BF740CF65556612FBF715218334D2C1E26</identifier>
<identifier type="DOI">10.1016/0022-4596(73)90231-4</identifier>
<identifier type="PII">0022-4596(73)90231-4</identifier>
<recordInfo><recordContentSource>ELSEVIER</recordContentSource>
</recordInfo>
</mods>
</metadata>
<serie></serie>
</istex>
</record>
Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)
EXPLOR_STEP=$WICRI_ROOT/Wicri/Sante/explor/ParkinsonFranceV1/Data/Istex/Corpus
HfdSelect -h $EXPLOR_STEP/biblio.hfd -nk 000404 | SxmlIndent | more
Ou
HfdSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Istex/Corpus/biblio.hfd -nk 000404 | SxmlIndent | more
Pour mettre un lien sur cette page dans le réseau Wicri
{{Explor lien |wiki= Wicri/Sante |area= ParkinsonFranceV1 |flux= Istex |étape= Corpus |type= RBID |clé= ISTEX:50B810BF740CF65556612FBF715218334D2C1E26 |texte= Etude quantitative par absorption optique de l'homogeneite de monocristaux d'arseniure de gallium }}
![]() | This area was generated with Dilib version V0.6.29. | ![]() |