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Serveur d'exploration sur le thulium - Analysis (USA)

Index « Auteurs » - entrée « R. J. Hwu »
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R. J. Goldstein < R. J. Hwu < R. J. Irvine  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 4.
Ident.Authors (with country if any)Title
000427 (2003) C. H. Lin [États-Unis] ; R. J. Hwu [États-Unis] ; L. P. Sadwick [États-Unis]Formation of microtwins in TmP/GaAs heterostructures
000479 (2001) C. H. Lin [États-Unis] ; R. J. Hwu [États-Unis] ; L. P. Sadwick [États-Unis]Investigation of crystal properties of TmP/GaAs and GaAs/TmP/GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy
000492 (2001) C. H. Lin [États-Unis] ; R. J. Hwu ; L. P. SadwickTransistor action in GaP/TmP/GaAs heterostructure
000497 (2001) C. H. Lin [États-Unis] ; R. J. Hwu ; L. P. Sadwick ; D. HeoMolecular beam epitaxy growth of TmP/GaAs and transistor action in GaP/TmP/GaAs heterostructures

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
4Molecular beam epitaxy
3Heterojunctions
2Crystal defects
2Experimental study
2Theory
2Thin films
1Atomic force microscopy
1Chemical bonds
1Crystal growth
1Crystal growth from vapors
1Crystal lattices
1Crystal microstructure
1Crystal perfection
1Crystal structure
1Crystal twin
1Current voltage characteristics
1Defect formation
1Electron concentration
1Electron mobility
1Epitaxial growth
1Experiments
1Gallium arsenides
1Growth defect
1Growth mechanism
1Microdefect
1Multilayers
1Phosphorus compounds
1Schottky barrier height
1Semiconducting gallium arsenide
1Semiconducting gallium compounds
1Semiconductor growth
1Semimetals
1Surface segregation
1Surface topography
1Thermal expansion
1Thermal stability
1Thulium compounds
1Thulium phosphide
1Thulium phosphides
1Transistors
1Transmission electron microscopy
1WSI circuits
1Wafer bonding
1X ray diffraction analysis

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