Ident. | Authors (with country if any) | Title |
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000203 (2011) |
X. Mateos [Espagne, Allemagne] ; M. Segura [Espagne] ; W. B. Cho [Corée du Sud] ; A. Schmidt [Allemagne] ; F. Rotermund [Corée du Sud] ; M. C. Pujol [Espagne] ; J. J. Carvajal [Espagne] ; M. Aguilo [Espagne] ; F. Diaz [Espagne] ; V. Panyutin [Allemagne] ; U. Griebner [Allemagne] ; V. Petrov [Allemagne] | Pulsed 2-micron lasers based on Tm3+-doped monoclinic double tungstate crystals |
000223 (2011) |
Y. L. Tang [République populaire de Chine] ; L. Xu [République populaire de Chine] ; M. J. Wang [République populaire de Chine] ; Y. Yang [République populaire de Chine] ; X. D. Xu [République populaire de Chine] ; J. Q. Xu [République populaire de Chine] | High-power gain-switched Ho:LuAG rod laser |
000260 (2011) |
WEI SHI [États-Unis] ; Eliot B. Petersen [États-Unis] ; Nick Moor [États-Unis] ; Arturo Chavez-Pirson [États-Unis] ; Nasser Peyghambarian [États-Unis] | All fiber-based single-frequency Q-switched laser pulses at 2 μm for LIDAR and remote sensing applications |
000264 (2011) |
JIANWU DING [États-Unis] ; Bryce Samson [États-Unis] ; Adrian Carter [États-Unis] ; Chiachi Wang [États-Unis] ; Kanishka Tankala [États-Unis] | A Monolithic Thulium Doped Single Mode Fiber Laser with 1.5ns Pulsewidth and 8kW Peak Power |
000307 (2010) |
B.-Q. Yao [République populaire de Chine] ; X.-M. Duan [République populaire de Chine] ; L. Ke [République populaire de Chine] ; Y.-L. Ju [République populaire de Chine] ; Y.-Z. Wang [République populaire de Chine] ; G.-J. Zhao [République populaire de Chine] | Q-switched operation of an in-band-pumped Ho:LuAG laser with kilohertz pulse repetition frequency |
000308 (2010) |
Marc Eichhorn [France] | Pulsed 2 μm fiber lasers for direct and pumping applications in defence and security |
000352 (2010) |
B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; P. B. Meng [République populaire de Chine] ; G. L. Zhu [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | High power diode-pumped continuous wave and Q-switch operation of Tm,Ho:YVO4 laser |
000367 (2010) |
N. G. Zakharov [Russie] ; O. L. Antipov [Russie] ; V. V. Sharkov [Russie] ; A. P. Savikin [Russie] | Efficient lasing at 2.1 μm in a Ho: YAG laser pumped by a Tm: YLF laser |
000395 (2010) |
A. S. Kurkov [Russie] ; Ya. E. Sadovnikova [Russie] ; A. V. Marakulin [Russie] ; E. M. Sholokhov [Russie] | All fiber Er-Tm Q-switched laser |
000444 (2009) |
S. N. Ushakov [Russie] ; M. N. Khromov [Russie] ; A. V. Shestakov [Russie] | Q-switched lasing at 2 μm in a Tm3+: YAlO3 laser |
000445 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Q-Switch Operation of a c-Cut 2132-nm Tm, Ho:YAP Laser Pumped by a Laser Diode of 794.3 nm |
000477 (2009) |
J. K. Jabczynski [Pologne] ; L. Gorajek [Pologne] ; W. Zendzian [Pologne] ; J. Kwiatkowski [Pologne] ; H. Jelinkova [République tchèque] ; J. Sulc [République tchèque] ; M. Nemec [République tchèque] | High repetition rate, high peak power, diode pumped Tm:YLF laser |
000504 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. J. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Dual diodes end-pumped Q-switch operation of a c-cut 2044-nm Tm,Ho:YAlO3 laser |
000507 (2009) |
Z. G. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; C. T. Wu [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Diode-pumped injection-seeded Tm,Ho:GdV04 laser |
000509 (2009) |
L. Qiao [République populaire de Chine] ; X. Hou [République populaire de Chine] ; Y. T. Feng [République populaire de Chine] ; Y. Liu [République populaire de Chine] ; W. B. Chen [République populaire de Chine] | Diode-Side-Pumped AO Q-Switched Tm, Ho:LuLiF Laser |
000514 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] | Continuous wave and AO Q-switch operation Tm,Ho:YAP laser pumped by a laser diode of 798 nm |
000520 (2009) |
Z. G. Wang [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. F. Li [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | CW and pulsed operation of a diode-end-pumped Tm:GdV04 laser at room temperature |
000563 (2008) |
Jan K. Jabczynski [Pologne] ; Lukasz Gorajek [Pologne] ; Waldemar Zendzian [Pologne] ; Jacek Kwiatkowski [Pologne] ; Helena Jelinkova [République tchèque] ; Jan Sulc [République tchèque] ; Michal Nemec [République tchèque] | The investigations of tunable, high peak power, diode pumped Tm:YLF laser |
000565 (2008) |
Atsushi Mori [Japon] | Tellurite-based fibers and their applications to optical communication networks : Glass and Ceramic Materials for Photonics |
000579 (2008) |
S. S. Cai [République populaire de Chine] ; J. Kong [République populaire de Chine] ; B. Wu [République populaire de Chine] ; Y. H. Shen [République populaire de Chine] ; G. J. Zhao [République populaire de Chine] ; Y. H. Zong [République populaire de Chine] ; J. Xu [République populaire de Chine] | Room-temperature cw and pulsed operation of a diode-end-pumped Tm:YAP laser |
000582 (2008) |
D. G. Kotsifaki [Grèce] ; A. A. Serafetinides [Grèce] | Radiation pressure effects in diamond structure and III-V semiconductors |