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Serveur d'exploration sur le thulium - Checkpoint (Pascal)

Index « Auteurs » - entrée « T. Suzuki »
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T. Suyama < T. Suzuki < T. Szczurek  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 17.
Ident.Authors (with country if any)Title
000C10 (2002-09-01) T. Matsumura [Royaume-Uni, Japon] ; K. A. Mcewen [Royaume-Uni] ; R. S. Eccleston [Royaume-Uni] ; T. Suzuki [Royaume-Uni]Enhancement of the crystalline electric field by the conduction electrons in TmxLa1-xTe
000D67 (2001) Y. Nakanishi [Japon] ; T. Sakon [Japon] ; T. Matsumura [Japon] ; Y. Nemoto [Japon] ; H. Hazama [Japon] ; T. Goto [Japon] ; T. Suzuki [Japon] ; M. Motokawa [Japon]Ultrasonic measurements on TmS
000D72 (2001) M. Ohashi [Japon] ; N. Takeshita [Japon] ; H. Mitamura [Japon] ; T. Matsumura [Japon] ; T. Suzuki [Japon] ; T. Mori [Japon] ; T. Goto [Japon] ; H. Ishimoto [Japon] ; N. Mori [Japon]The valence fluctuation state of Tm monochalcogenides under high pressure
000D78 (2001) J.-M. Mignot [France] ; I. N. Goncharenko [France, Russie] ; T. Matsumura [Japon] ; T. Suzuki [Japon]Stabilization of type-I antiferromagnetism in mixed-valence TmTe at P = 6 GPa
000E09 (2001) Y. Nakanishi [Japon] ; F. Takahashi [Japon] ; T. Sakon [Japon] ; T. Matsumura [Japon] ; Y. Nemoto [Japon] ; H. Hazama [Japon] ; T. Goto [Japon] ; T. Suzuki [Japon] ; M. Motokawa [Japon]Magnetic properties of TmS in high magnetic fields
000E49 (2001) C. Nagasawa [Japon] ; T. Suzuki [Japon] ; H. Nakajima [Japon] ; H. Hara [Japon] ; K. Mizutani [Japon]Characteristics of single longitudinal mode oscillation of the 2 μm TM, Ho:YLF microchip laser
001120 (1998-05-25) P. Link ; A. Gukasov ; J.-M. Mignot ; T. Matsumura ; T. SuzukiNeutron-Diffraction Study of Quadrupolar Order in TmTe: First Evidence for a Field-Induced Magnetic Superstructure
001140 (1998-01-05) P. Link ; I. N. Goncharenko ; J. M. Mignot ; T. Matsumura ; T. SuzukiFerromagnetic Mixed-Valence and Kondo-Lattice State in TmTe at High Pressure
001171 (1998) Y. Ufuktepe [Japon] ; S.-I. Kimura [Japon] ; T. Kinoshita [Japon] ; K. G. Nath [Japon] ; H. Kumigashira [Japon] ; T. Takahashi [Japon] ; T. Matsumura [Japon] ; T. Suzuki [Japon] ; H. Ogasawara [Japon] ; A. Kotani [Japon]Resonant photoemission studies of thulium monochalcogenides around the Tm 4d threshold
001193 (1998) T. Matsumura [Japon] ; S. Nakamura [Japon] ; T. Goto [Japon] ; H. Amitsuka [Japon] ; K. Matsuhira [Japon] ; T. Sakakibara [Japon] ; T. Suzuki [Japon]Low temperature properties of the magnetic semiconductor TmTe
001228 (1998) S. Kimura [Japon] ; Y. Ufuktepe [Turquie] ; K. G. Nath [Japon] ; T. Kinoshita [Japon] ; H. Kumigashira [Japon] ; T. Takahashi [Japon] ; T. Matsumura [Japon] ; T. Suzuki [Japon] ; H. Ogasawara [Japon] ; A. Kotani [Japon]4d-4f and 3d-4f resonant photoemission of TmX (X = S, Se, Te)
001274 (1997-02-10) T. Matsumura ; T. Kosaka ; J. Tang ; T. Matsumoto ; H. Takahashi ; N. Mori ; T. SuzukiPressure Induced Semiconductor to Metal Transition in TmTe
001406 (1996) J. Tang ; T. Kosaka [Japon] ; T. Matsumura [Japon] ; T. Matsumoto [Japon] ; N. Mori [Japon] ; T. Suzuki [Japon]The valence state of TmTe at high pressure
001558 (1995) S. Nimori [Japon] ; G. Kido ; D. X. Li ; T. SuzukiThe de Haas-van Alphen effect measurements of TmSb with high magnetic fields
001573 (1995) D. X. Li [Japon] ; Y. Haga [Japon] ; Y. S. Kwon ; H. Shida [Japon] ; T. Suzuki [Japon] ; S. Nimori ; G. KidoResistivity and Hall effect of GdSb and TmSb
001576 (1995) T. Matsumura [Japon] ; Y. Haga [Japon] ; Y. Nemoto ; S. Nakamura ; T. Goto ; T. Suzuki [Japon]Quadrupolar effects in TmTe
001614 (1995) S. Nimori [Japon] ; G. Kido ; D. X. Li ; Y. Haga ; T. SuzukiField induced magnetization of TmSb

List of associated FC03.fr.i

Nombre de
documents		Descripteur
14Etude expérimentale
6Susceptibilité magnétique
6Thulium tellurure
57530M
5Aimantation
5Interaction échange
5Te Tm
5Thulium composé
5TmTe
5Valence
4Champ cristallin
4Composé binaire
4Constante élasticité
4Diffraction neutron
3Chaleur massique
3Diagramme phase magnétique
3Dépendance température
3Effet champ magnétique
3Effet pression
3Interaction quadripolaire
3S Tm
3Structure électronique
3Thulium sulfure
3TmS
3Transformation phase
3Transition magnétique
26220D
27130
27520H
27550P
27560E
2Alliage binaire
2Antiferromagnétisme
2Antimoine alliage
2Antimoniure
2Chalcogénure
2Conductivité électrique
2Dépendance pression
2Effet Kondo
2Effet température
2Monocristal
2Résistivité électrique
2Spectrométrie photoélectron
2Tellure composé
2Thulium alliage
2Très haute pression
14255R
14255X
14260L
16112L
16320K
17120P
17170C
17215G
17260
17525
17530C
17530E
17530K
17540C
17540G
17580
17960B
18140V
1Addition holmium
1Addition thulium
1Adoucissement mécanique
1Alliage Tm58Sb42
1Alliage base thulium
1Anomalie magnétique
1Application laser
1Approximation champ moyen
1Bande conduction
1Caractéristique magnétique
1Champ intense
1Composé ternaire
1Composé valence mixte
1Degré oxydation mixte
1Diffusion magnétique
1Décomposition niveau énergie
1Effet Hall
1Effet de Haas van Alphen
1Elasticité
1Etat fondamental
1Etude comparative
1F Li Y
1Fluctuation
1Gadolinium composé
1Gradient champ électrique
1Haute pression
1Interaction ionique
1Lanthane alliage
1Lanthanide composé
1Laser Ho,Tm:YLF
1Laser IR
1Laser YLF
1Laser solide
1Lidar
1Lithium fluorure
1Magnétorésistance

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   |area=    ThuliumV1
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   |index=    Author.i
   |clé=    T. Suzuki
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