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Serveur d'exploration sur le thulium - Checkpoint (Pascal)

Index « Auteurs » - entrée « E. Alves »
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E. Alleno < E. Alves < E. Antic-Fidancev  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 6.
Ident.Authors (with country if any)Title
000434 (2009) M. Macatrao [Portugal] ; M. Peres [Portugal] ; C. P. L. Rubinger [Portugal] ; M. J. Soares [Portugal] ; L. C. Costa [Portugal] ; F. M. Costa [Portugal] ; T. Monteiro [Portugal] ; N. Franco [Portugal] ; E. Alves [Portugal] ; B. Z. Saggioro [Brésil] ; M. R. B. Andreeta [Brésil] ; A. C. Hernandes [Brésil]Structural and optical properties on thulium-doped LHPG-grown Ta2O5 fibres
000734 (2007) L. Bodiou [France] ; A. Braud [France] ; C. Terpin [France] ; J. L. Doualan [France] ; R. Moncorge [France] ; K. Lorenz [Portugal] ; E. Alves [Portugal]Spectroscopic investigation of implanted epilayers of Tm3+:GaN
000830 (2006) T. Wojtowicz [France] ; F. Gloux [France] ; P. Ruterana [France] ; K. Lorenz [Portugal] ; E. Alves [Portugal]TEM investigation of Tm implanted GaN, the influence of high temperature annealing
000833 (2006) T. Wojtowicz [France] ; F. Gloux [France] ; P. Ruterana [France] ; G. Nouet [France] ; L. Bodiou [France] ; A. Braud [France] ; K. Lorenz [Portugal] ; E. Alves [Portugal]Structure and role of ultrathin AlN layers for improving optical activation of rare earth implanted GaN
000870 (2006) S. Hernandez [Royaume-Uni] ; R. Cusco [Espagne] ; L. Artus [Espagne] ; E. Nogales [Royaume-Uni] ; R. W. Martin [Royaume-Uni] ; K. P. O'Donnell [Royaume-Uni] ; G. Halambalakis [France] ; O. Briar [France] ; K. Lorenz [Portugal] ; E. Alves [Portugal]Lattice order in thulium-doped GaN epilayers : In situ doping versus ion implantation
000B37 (2003) E. Rita [Portugal] ; E. Alves [Portugal] ; U. Wahl [Portugal] ; J. G. Correia [Portugal] ; A. J. Neves [Portugal] ; M. J. Soares [Portugal] ; T. Monteiro [Portugal]Optical doping of ZnO with Tm by ion implantation

List of associated FC03.fr.i

Nombre de
documents		Descripteur
5Addition thulium
4Dopage
4Méthode MOCVD
3Etude expérimentale
3Gallium nitrure
3Implantation ion
3Matériau dopé
3Photoluminescence
3Recuit
24270N
2AlN
2Composé binaire
2Fluence
2Ga N
2GaN
2Haute température
2Matériau optique
2Microscopie électronique transmission
2Monocristal
2Nanocristal
2Semiconducteur III-V
16172W
16837L
16855L
17830F
17855
17855H
17867
18107B
18140E
18540R
1Addition europium
1Addition lanthanide
1Aluminium nitrure
1Amas impureté
1Bande interdite
1Canalisation particule
1Caractéristique optique
1Concentration impureté
1Constante diélectrique
1Couche superficielle
1Couche épitaxique
1Couche épitaxique semiconductrice
1Densité défaut empilement
1Diffraction RX
1Diffusion Raman
1Défaut cristallin
1Défaut empilement
1Dépendance température
1Effet température
1Endommagement
1Epitaxie jet moléculaire
1Etat fondamental
1Fibre
1Hyperfréquence
1Impureté substitutionnelle
1Lacune
1Méthode LHPG
1Nanomatériau
1O Zn
1Oxyde de tantale
1Perte diélectrique
1Piégeage porteur charge
1Propriété diélectrique
1Propriété optique
1RBS
1Réseau monoclinique
1Semiconducteur
1Site impureté
1Spectre Raman
1Spectre excitation
1Ségrégation impureté
1Ségrégation surface
1Ta
1Ta2O5
1Tantale
1Température ambiante
1Thulium
1Théorie perturbation
1Tm
1Traitement thermique
1Transfert énergie
1Zinc oxyde
1ZnO

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   |area=    ThuliumV1
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   |clé=    E. Alves
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