Ident. | Authors (with country if any) | Title |
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000047 (2013) |
DONGYULI [République populaire de Chine] ; YUXIAOWANG [République populaire de Chine] ; XUERUZHANG [République populaire de Chine] ; GUANGSHI [République populaire de Chine] ; GANG LIU [République populaire de Chine] ; YINGLIN SONG [République populaire de Chine] | White upconversion emission in Yb3+/Tm3+/Ho3+ doped SrMoO4 nanocrystals by high excited state energy transfer |
000090 (2013) |
YI SUN [République populaire de Chine] ; MILIN ZHANG [République populaire de Chine] ; WEI HAN [République populaire de Chine] ; MEI LI [République populaire de Chine] ; KE YE [République populaire de Chine] ; YUSHENG YANG [République populaire de Chine] ; YONGDE YAN [République populaire de Chine] ; MENG ZHANG [République populaire de Chine] | Electrochemical Preparation of Al-Li-Er-Tm Alloys by Co-reduction |
000193 (2011) |
X. L. Zhang [République populaire de Chine] ; L. Li [République populaire de Chine] ; Y. F. Liu [République populaire de Chine] ; Y. F. Peng [République populaire de Chine] ; J. H. Cui [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] | Stable microsecond pulsewidth passively Q-switched Tm,Ho:YLF laser |
000219 (2011) |
G. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; P. B. Meng [République populaire de Chine] ; W. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | InGaAs/GaAs saturable absorber for diode-pumped passively Q-switched mode-locking of Tm,Ho:YVO4 laser |
000293 (2010) |
X. M. Duan [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; T. H. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Stable output, high power diode-pumped Tm:YLF laser with a volume Bragg grating |
000302 (2010) |
X. L. Zhang [République populaire de Chine] ; L. Li [République populaire de Chine] ; B. Jiang [République populaire de Chine] ; J. H. Cui [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Single longitudinal mode and optical bistability Tm,Ho:YLF lasers at room temperature |
000303 (2010) |
X. L. Zhang [République populaire de Chine] ; L. Li [République populaire de Chine] ; J. H. Cui [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Single longitudinal mode and continuously tunable frequency Tm,Ho:YLF laser with two solid etalons |
000307 (2010) |
B.-Q. Yao [République populaire de Chine] ; X.-M. Duan [République populaire de Chine] ; L. Ke [République populaire de Chine] ; Y.-L. Ju [République populaire de Chine] ; Y.-Z. Wang [République populaire de Chine] ; G.-J. Zhao [République populaire de Chine] | Q-switched operation of an in-band-pumped Ho:LuAG laser with kilohertz pulse repetition frequency |
000352 (2010) |
B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; P. B. Meng [République populaire de Chine] ; G. L. Zhu [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | High power diode-pumped continuous wave and Q-switch operation of Tm,Ho:YVO4 laser |
000388 (2010) |
XINLU ZHANG [République populaire de Chine] ; LIANG YANG [République populaire de Chine] ; LI LI [République populaire de Chine] ; JINHUI CUI [République populaire de Chine] ; YOULUN JU [République populaire de Chine] ; YUEZHU WANG [République populaire de Chine] | Bistable performances of diode-end-pumped quasi-three-level Tm,Ho:YLF lasers |
000425 (2009) |
XINLU ZHANG [République populaire de Chine] ; YUEZHU WANG [République populaire de Chine] ; LI LI [République populaire de Chine] ; YOULUN JU [République populaire de Chine] ; YUFENG PENG [République populaire de Chine] | The effects of energy transfer upconversion on end-pumped Q-switched Tm, Ho : YLF lasers |
000435 (2009) |
B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; L. Ke [République populaire de Chine] ; X. M. Duan [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; X. T. Yang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Stable wavelength, narrow linewidth diode-pumped Tm:YLF laser with double etalons |
000456 (2009) |
T. H. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; X. M. Duan [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; X. T. Yang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Narrow linewidth continuous wave diode-pumped Tm:YLF laser with a volume Bragg grating |
000480 (2009) |
X. M. Duan [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; T. H. Wang [République populaire de Chine] ; X. T. Yang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] ; G. J. Zhao [République populaire de Chine] ; Q. Dong [République populaire de Chine] | High efficient continuous wave operation of a Ho:YAP laser at room temperature |
000487 (2009) |
XINLU ZHANG [République populaire de Chine] ; LI LI [République populaire de Chine] ; YANG ZHENG [République populaire de Chine] ; YUEZHU WANG [République populaire de Chine] | Formation mechanism of optical bistability in end-pumped quasi-three-level Tm, Ho:YLF lasers : Plasmonics and Metamaterials |
000501 (2009) |
X. M. Duan [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; T. H. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Efficient Tm:YLF Laser with a Volume Bragg Grating Recycle Pumped by Laser Diode |
000504 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. J. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Dual diodes end-pumped Q-switch operation of a c-cut 2044-nm Tm,Ho:YAlO3 laser |
000505 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. J. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Double diode-pumped continuous wave operatio of a c-cut 2044-nm Tm,Ho:YAlO3 laser |
000507 (2009) |
Z. G. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; C. T. Wu [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Diode-pumped injection-seeded Tm,Ho:GdV04 laser |
000514 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] | Continuous wave and AO Q-switch operation Tm,Ho:YAP laser pumped by a laser diode of 798 nm |
000520 (2009) |
Z. G. Wang [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. F. Li [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | CW and pulsed operation of a diode-end-pumped Tm:GdV04 laser at room temperature |