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Eléments de l'association

Y. Z. Wang25
Domaine temps ns34
Y. Z. Wang Sauf Domaine temps ns" 19
Domaine temps ns Sauf Y. Z. Wang" 28
Y. Z. Wang Et Domaine temps ns 6
Y. Z. Wang Ou Domaine temps ns 53
Corpus3189
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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 6.
Ident.Authors (with country if any)Title
000352 B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; P. B. Meng [République populaire de Chine] ; G. L. Zhu [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine]High power diode-pumped continuous wave and Q-switch operation of Tm,Ho:YVO4 laser
000445 L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine]Q-Switch Operation of a c-Cut 2132-nm Tm, Ho:YAP Laser Pumped by a Laser Diode of 794.3 nm
000504 L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. J. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine]Dual diodes end-pumped Q-switch operation of a c-cut 2044-nm Tm,Ho:YAlO3 laser
000507 Z. G. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; C. T. Wu [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine]Diode-pumped injection-seeded Tm,Ho:GdV04 laser
000514 L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine]Continuous wave and AO Q-switch operation Tm,Ho:YAP laser pumped by a laser diode of 798 nm
000520 Z. G. Wang [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. F. Li [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine]CW and pulsed operation of a diode-end-pumped Tm:GdV04 laser at room temperature

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