Eléments de l'association

	L. Ke	4
	Matériau dopé	755
	L. Ke *Sauf* Matériau dopé"	0
	Matériau dopé *Sauf* L. Ke"	751
	L. Ke Et Matériau dopé	4
	L. Ke Ou Matériau dopé	755
	*Corpus*	3189

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 4.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
000307	B.-Q. Yao [République populaire de Chine] ; X.-M. Duan [République populaire de Chine] ; L. Ke [République populaire de Chine] ; Y.-L. Ju [République populaire de Chine] ; Y.-Z. Wang [République populaire de Chine] ; G.-J. Zhao [République populaire de Chine]	Q-switched operation of an in-band-pumped Ho:LuAG laser with kilohertz pulse repetition frequency
000435	B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; L. Ke [République populaire de Chine] ; X. M. Duan [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; X. T. Yang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine]	Stable wavelength, narrow linewidth diode-pumped Tm:YLF laser with double etalons
000441	B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; L. Ke [République populaire de Chine] ; Q. Wang [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] ; C. T. Wu [République populaire de Chine] ; X. M. Duan [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine]	Short-Term Frequency Characteristics of 2 μm Single Frequency Solid-State Lasers
000527	L. Huang [République populaire de Chine] ; M. Gong [République populaire de Chine] ; L. Ke [République populaire de Chine] ; J. Liu [République populaire de Chine]	A Compact High Efficient Diode-Double-Passing-Pumped Mid-IR Tm:YLF Laser at Room Temperature'

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