Ident. | Authors (with country if any) | Title |
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000C57 |
C. Lefevre [France] ; Gérard Venturini (physicien) [France] | Sn substitution inducing magnetocrystalline anisotropy in TmMn6Sn6-xGax compounds (0.1≤x≤2.6) |
000F30 |
Gérard Venturini (physicien) [France] ; R. Welter [France] | Single crystal refinement of tetragonal Tm3(Ga, Ge)5 with anti-Cr5B3 structure |
000F42 |
Gérard Venturini (physicien) [France] | Orthorhombic TmGe1.9, with a ZrSi2-ErGe1.83 intergrowth structure |
001447 |
Gérard Venturini (physicien) [France] ; B. Malaman [France] ; E. Ressouche [France] | Magnetic ordering in ternary RMn2Ge2 compounds (R=Tb, Ho, Er, Tm, Lu) from neutron diffraction study |
001B66 |
B. Malaman ; Gérard Venturini (physicien) [France] ; B. Roques | Structure cristalline de Tm4Mn4Sn7, le premier stannure isotype de Zr4Co4Ge7 |
001B67 |
B. Malaman ; Gérard Venturini (physicien) [France] ; M. Francois ; B. Roques | Effets de la taille des terres rares sur les structures de type YIrGe2: répartition atomique dans LaTmIr2Ge4 |
001B68 |
Gérard Venturini (physicien) [France] ; B. Malaman ; B. Roques | Distribution atomique des alliages de type Sc5Co4Si10: (Lu, Sc)5Ir4Si10, (Y, Sc)5Ir4Si10, (Y, Tm)5Os4Ge10, (Ca, Lu)5Rh4Ge10 et (La, Y)5Rh4Sn10 |