List of bibliographic references indexed by ns range
Number of relevant bibliographic references: 34.
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0 - 34][
20-33][
20-40]
Ident. | Authors (with country if any) | Title |
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000B34 (2011) |
X. Mateos [Espagne, Allemagne] ; M. Segura [Espagne] ; W. B. Cho [Corée du Sud] ; A. Schmidt [Allemagne] ; F. Rotermund [Corée du Sud] ; M. C. Pujol [Espagne] ; J. J. Carvajal [Espagne] ; M. Aguilo [Espagne] ; F. Diaz [Espagne] ; V. Panyutin [Allemagne] ; U. Griebner [Allemagne] ; V. Petrov [Allemagne] | Pulsed 2-micron lasers based on Tm3+-doped monoclinic double tungstate crystals |
000B54 (2011) |
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000B88 (2011) |
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000B92 (2011) |
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000E09 (2010) |
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000E10 (2010) |
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000E53 (2010) |
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000E96 (2010) |
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001012 (2009) |
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001023 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. J. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Dual diodes end‐pumped Q‐switch operation of a c‐cut 2044‐nm Tm,Ho:YAlO3 laser |
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Z. G. Wang ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; C. T. Wu [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Diode‐pumped injection‐seeded Tm,Ho:GdVO4 laser |
001034 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] | Continuous wave and AO Q‐switch operation Tm,Ho:YAP laser pumped by a laser diode of 798 nm |
001040 (2009) |
Z. G. Wang ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. F. Li [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | CW and pulsed operation of a diode‐end‐pumped Tm:GdVO4 laser at room temperature |
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L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Q-Switch Operation of a c-Cut 2132-nm Tm, Ho:YAP Laser Pumped by a Laser Diode of 794.3 nm |
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Jan K. Jabczynski [Pologne] ; Lukasz Gorajek [Pologne] ; Waldemar Zendzian [Pologne] ; Jacek Kwiatkowski [Pologne] ; Helena Jelinkova [République tchèque] ; Jan Sulc [République tchèque] ; Michal Nemec [République tchèque] | The investigations of tunable, high peak power, diode pumped Tm:YLF laser |
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S. S. Cai [République populaire de Chine] ; J. Kong [République populaire de Chine] ; B. Wu [République populaire de Chine] ; Y. H. Shen [République populaire de Chine] ; G. J. Zhao [République populaire de Chine] ; Y. H. Zong [République populaire de Chine] ; J. Xu [République populaire de Chine] | Room-temperature cw and pulsed operation of a diode-end-pumped Tm:YAP laser |
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