Ident. | Authors (with country if any) | Title |
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000656 (2013) |
Y. J. Chen [République populaire de Chine] ; H. M. Zhu [République populaire de Chine] ; Y. F. Lin [République populaire de Chine] ; X. H. Gong [République populaire de Chine] ; Z. D. Luo [République populaire de Chine] ; Y. D. Huang [République populaire de Chine] | Efficient diode-pumped continuous-wave monolithic 1.9 μm micro-laser based on Tm3+:BaGd2(MoO4)4 cleaved plate |
000B25 (2011) |
X. L. Zhang [République populaire de Chine] ; L. Li [République populaire de Chine] ; Y. F. Liu [République populaire de Chine] ; Y. F. Peng [République populaire de Chine] ; J. H. Cui [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] | Stable microsecond pulsewidth passively Q-switched Tm,Ho:YLF laser |
000B45 (2011) |
XIAODONG MU [États-Unis] ; Helmuth Meissner [États-Unis] ; Huai-Chuan Lee [États-Unis] | LD Pumped High Efficiency, High Power Tm:YLF Laser with Adhesive-Free Bond Laser Composites |
000E06 (2010) |
X. L. Zhang [République populaire de Chine] ; L. Li [République populaire de Chine] ; J. H. Cui [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Single longitudinal mode and continuously tunable frequency Tm,Ho:YLF laser with two solid etalons |
000E09 (2010) |
B.-Q. Yao [République populaire de Chine] ; X.-M. Duan [République populaire de Chine] ; L. Ke [République populaire de Chine] ; Y.-L. Ju [République populaire de Chine] ; Y.-Z. Wang [République populaire de Chine] ; G.-J. Zhao [République populaire de Chine] | Q-switched operation of an in-band-pumped Ho:LuAG laser with kilohertz pulse repetition frequency |
000E41 (2010) |
XINLU ZHANG [République populaire de Chine] ; YUFENG PENG [République populaire de Chine] ; YONGFU LIU [République populaire de Chine] ; LILI [République populaire de Chine] ; BO JIANG [République populaire de Chine] | Investigation of thermal effects in a diode end-pumped Tm,Ho-YLF solid state laser |
000E50 (2010) |
X. J. Cheng [République populaire de Chine] ; J. Q. Xu [République populaire de Chine] ; M. J. Wang [République populaire de Chine] ; B. X. Jiang [République populaire de Chine] ; W. X. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. B. Pan [République populaire de Chine] | Ho:YAG ceramic laser pumped by Tm:YLF lasers at room temperature |
000E66 (2010) |
F. G. Yang [République populaire de Chine] ; F. P. Yan [République populaire de Chine] ; Z. Y. You [République populaire de Chine] ; C. Y. Tu [République populaire de Chine] ; C. L. Sun [République populaire de Chine] ; Y. Wang [République populaire de Chine] ; Z. J. Zhu [République populaire de Chine] ; J. F. Li [République populaire de Chine] | End-pumping Tm,Ho,Ce:NaY(WO4)2 crystal laser at 2.07 μm and the up-conversion repressed |
000E89 (2010) |
XINLU ZHANG [République populaire de Chine] ; LIANG YANG [République populaire de Chine] ; LI LI [République populaire de Chine] ; JINHUI CUI [République populaire de Chine] ; YOULUN JU [République populaire de Chine] ; YUEZHU WANG [République populaire de Chine] | Bistable performances of diode-end-pumped quasi-three-level Tm,Ho:YLF lasers |
000F88 (2009) |
B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; L. Ke [République populaire de Chine] ; X. M. Duan [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; X. T. Yang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Stable wavelength, narrow linewidth diode‐pumped Tm:YLF laser with double etalons |
001023 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. J. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Dual diodes end‐pumped Q‐switch operation of a c‐cut 2044‐nm Tm,Ho:YAlO3 laser |
001024 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. J. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Double diode‐pumped continuous wave operation of a c‐cut 2044‐nm Tm,Ho:YAlO3 laser |
001034 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] | Continuous wave and AO Q‐switch operation Tm,Ho:YAP laser pumped by a laser diode of 798 nm |
001040 (2009) |
Z. G. Wang ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. F. Li [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | CW and pulsed operation of a diode‐end‐pumped Tm:GdVO4 laser at room temperature |
001078 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; C. T. Wu [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. J. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Thermal Focal Length Measurement of an LD-End-Pumped Tm,Ho:GdVO4 Laser |
001080 (2009) |
XINLU ZHANG [République populaire de Chine] ; YUEZHU WANG [République populaire de Chine] ; LI LI [République populaire de Chine] ; YOULUN JU [République populaire de Chine] ; YUFENG PENG [République populaire de Chine] | The effects of energy transfer upconversion on end-pumped Q-switched Tm, Ho : YLF lasers |
001092 (2009) |
HAIYAN PENG [République populaire de Chine] ; KUN ZHANG [République populaire de Chine] ; LIANHAN ZHANG [République populaire de Chine] ; YIN HANG [République populaire de Chine] ; JIANQIU XU [République populaire de Chine] ; YULONG TANG [République populaire de Chine] ; YAN CHENG [République populaire de Chine] ; JING XIONG [République populaire de Chine] | Spectral properties and laser performance of Tm, Ho: LuLF4 crystal |
001098 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Q-Switch Operation of a c-Cut 2132-nm Tm, Ho:YAP Laser Pumped by a Laser Diode of 794.3 nm |
001100 (2009) |
S. Y. Zhang [République populaire de Chine] ; X. J. Cheng [République populaire de Chine] ; L. Xu [République populaire de Chine] ; J. Q. Xu [République populaire de Chine] | Power scaling of continuous-wave diode-end pump Tm:LiLuF4 slab laser |
001126 (2009) |
M. Schellhorn [France] ; S. Ngcobo [Afrique du Sud] ; C. Bollig [Afrique du Sud] | High-power diode-pumped Tm:YLF slab laser |
001127 (2009) |
X. Cheng [République populaire de Chine] ; F. Chen [République populaire de Chine] ; G. Zhao [République populaire de Chine] ; J. Xu [République populaire de Chine] | High-efficiency, high-power, diode-pumped continuous-wave Tm:YAlO3 slab lasers |