Ident. | Authors (with country if any) | Title |
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000B50 (2011) |
G. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; P. B. Meng [République populaire de Chine] ; W. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | InGaAs/GaAs saturable absorber for diode-pumped passively Q-switched mode-locking of Tm,Ho:YVO4 laser |
000D13 (2010) |
Y. Tian [République populaire de Chine] ; J. Q. Zhao [République populaire de Chine] ; W. Gao [République populaire de Chine] ; W. Wang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Narrow line‐width Tm3+ doped double‐clad silica fiber laser based on in‐line cascade biconical tapers filter |
000D98 (2010) |
X. M. Duan [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; T. H. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Stable output, high power diode-pumped Tm:YLF laser with a volume Bragg grating |
000E06 (2010) |
X. L. Zhang [République populaire de Chine] ; L. Li [République populaire de Chine] ; J. H. Cui [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Single longitudinal mode and continuously tunable frequency Tm,Ho:YLF laser with two solid etalons |
000E53 (2010) |
B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; P. B. Meng [République populaire de Chine] ; G. L. Zhu [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | High power diode-pumped continuous wave and Q-switch operation of Tm,Ho:YVO4 laser |
000F02 (2010) |
C. H. Zhang [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; Q. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | 2041.3 nm/2054.6 nm Simultaneous Dual-Wavelength Single-Longitudinal-Mode Tm, Ho:YVO4 Microchip Laser' |
000F88 (2009) |
B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; L. Ke [République populaire de Chine] ; X. M. Duan [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; X. T. Yang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Stable wavelength, narrow linewidth diode‐pumped Tm:YLF laser with double etalons |
000F92 (2009) |
C. T. Wu ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Q. Wang [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] ; F. Chen [République populaire de Chine] ; R. L. Zhou [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Room temperature operation of single frequency Tm:LuAG laser end‐pumped by laser‐diode |
001002 (2009) |
T. H. Wang ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; X. M. Duan [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; X. T. Yang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Narrow linewidth continuous wave diode‐pumped Tm:YLF laser with a volume Bragg grating |
001023 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. J. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Dual diodes end‐pumped Q‐switch operation of a c‐cut 2044‐nm Tm,Ho:YAlO3 laser |
001024 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. J. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Double diode‐pumped continuous wave operation of a c‐cut 2044‐nm Tm,Ho:YAlO3 laser |
001026 (2009) |
Z. G. Wang ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; C. T. Wu [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Diode‐pumped injection‐seeded Tm,Ho:GdVO4 laser |
001034 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] | Continuous wave and AO Q‐switch operation Tm,Ho:YAP laser pumped by a laser diode of 798 nm |
001040 (2009) |
Z. G. Wang ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. F. Li [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | CW and pulsed operation of a diode‐end‐pumped Tm:GdVO4 laser at room temperature |
001053 (2009) |
X. M. Duan ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; L. Ke [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | 3.5 W continuous wave Ho:LSO laser at room temperature |
001078 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; C. T. Wu [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. J. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Thermal Focal Length Measurement of an LD-End-Pumped Tm,Ho:GdVO4 Laser |
001095 (2009) |
B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; L. Ke [République populaire de Chine] ; Q. Wang [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] ; C. T. Wu [République populaire de Chine] ; X. M. Duan [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Short-Term Frequency Characteristics of 2 μm Single Frequency Solid-State Lasers |
001098 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Q-Switch Operation of a c-Cut 2132-nm Tm, Ho:YAP Laser Pumped by a Laser Diode of 794.3 nm |
001130 (2009) |
X. M. Duan [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; T. H. Wang [République populaire de Chine] ; X. T. Yang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] ; G. J. Zhao [République populaire de Chine] ; Q. Dong [République populaire de Chine] | High efficient continuous wave operation of a Ho:YAP laser at room temperature |
001151 (2009) |
X. M. Duan [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; T. H. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Efficient Tm:YLF Laser with a Volume Bragg Grating Recycle Pumped by Laser Diode |
001172 (2009) |
X. M. Duan [République populaire de Chine] ; B. Q. Yaa [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] ; G. J. Zhao [République populaire de Chine] | 8.5 W room temperature continuous wave operation of a Ho: LuAG laser |