Ident. | Authors (with country if any) | Title |
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000E96 (2010) |
A. S. Kurkov [Russie] ; Ya. E. Sadovnikova [Russie] ; A. V. Marakulin [Russie] ; E. M. Sholokhov [Russie] | All fiber Er-Tm Q-switched laser |
000F88 (2009) |
B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; L. Ke [République populaire de Chine] ; X. M. Duan [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; X. T. Yang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Stable wavelength, narrow linewidth diode‐pumped Tm:YLF laser with double etalons |
000F92 (2009) |
C. T. Wu ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Q. Wang [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] ; F. Chen [République populaire de Chine] ; R. L. Zhou [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Room temperature operation of single frequency Tm:LuAG laser end‐pumped by laser‐diode |
000F93 (2009) |
J. Kwiatkowski [Pologne] ; J. K. Jabczynski [Pologne] ; L. Gorajek [Pologne] ; W. Zendzian [Pologne] ; H. Jelínková [République tchèque] ; J. Šulc [République tchèque] ; M. N Mec [République tchèque] ; P. Koranda [République tchèque] | Resonantly pumped tunable Ho:YAG laser |
001002 (2009) |
T. H. Wang ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; X. M. Duan [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; X. T. Yang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Narrow linewidth continuous wave diode‐pumped Tm:YLF laser with a volume Bragg grating |
001012 (2009) |
J. K. Jabczynski [Pologne] ; Ł. Gorajek [Pologne] ; W. Zendzian [Pologne] ; J. Kwiatkowski [Pologne] ; H. Jelínková [République tchèque] ; J. Šulc [République tchèque] ; M. N Mec [République tchèque] | High repetition rate, high peak power, diode pumped Tm:YLF laser |
001023 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. J. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Dual diodes end‐pumped Q‐switch operation of a c‐cut 2044‐nm Tm,Ho:YAlO3 laser |
001024 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. J. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Double diode‐pumped continuous wave operation of a c‐cut 2044‐nm Tm,Ho:YAlO3 laser |
001026 (2009) |
Z. G. Wang ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; C. T. Wu [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Diode‐pumped injection‐seeded Tm,Ho:GdVO4 laser |
001032 (2009) |
J. Xiong [République populaire de Chine] ; H. Y. Peng [République populaire de Chine] ; C. C. Zhao [République populaire de Chine] ; Y. Hang [République populaire de Chine] ; L. H. Zhang [République populaire de Chine] ; M. Z. He [République populaire de Chine] ; X. M. He [République populaire de Chine] ; G. Z. Chen [République populaire de Chine] | Crystal growth, spectroscopic characterization, and laser performance of Tm:LiLuF4 crystal |
001033 (2009) |
S. S. Zhang [République populaire de Chine] ; Q. P. Wang [République populaire de Chine] ; X. Y. Zhang [République populaire de Chine] ; Z. H. Cong [République populaire de Chine] ; S. Z. Fan [République populaire de Chine] ; Z. J. Liu [République populaire de Chine] ; W. J. Sun [République populaire de Chine] | Continuous‐wave ceramic Nd:YAG laser at 1123 nm |
001034 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] | Continuous wave and AO Q‐switch operation Tm,Ho:YAP laser pumped by a laser diode of 798 nm |
001040 (2009) |
Z. G. Wang ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. F. Li [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | CW and pulsed operation of a diode‐end‐pumped Tm:GdVO4 laser at room temperature |
001053 (2009) |
X. M. Duan ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; L. Ke [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | 3.5 W continuous wave Ho:LSO laser at room temperature |
001056 (2009) |
Z. J. Liu [République populaire de Chine] ; Q. P. Wang [République populaire de Chine] ; X. Y. Zhang [République populaire de Chine] ; S. S. Zhang [République populaire de Chine] ; J. Chang [République populaire de Chine] ; H. Wang [République populaire de Chine] ; S. Z. Fan [République populaire de Chine] ; W. J. Sun [République populaire de Chine] ; X. T. Tao [République populaire de Chine] ; S. J. Zhang [République populaire de Chine] ; H. J. Zhang [République populaire de Chine] | 1120 nm second‐Stokes generation in KTiOAsO4 |
001100 (2009) |
S. Y. Zhang [République populaire de Chine] ; X. J. Cheng [République populaire de Chine] ; L. Xu [République populaire de Chine] ; J. Q. Xu [République populaire de Chine] | Power scaling of continuous-wave diode-end pump Tm:LiLuF4 slab laser |
001129 (2009) |
Y. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. Tian [République populaire de Chine] ; Ch. Song [République populaire de Chine] ; W. Wang [République populaire de Chine] ; B. Yao [République populaire de Chine] ; Y. Wang [République populaire de Chine] | High efficient single-end operation Tm-doped silica fiber laser based on intracore FBGs |
001130 (2009) |
X. M. Duan [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; T. H. Wang [République populaire de Chine] ; X. T. Yang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] ; G. J. Zhao [République populaire de Chine] ; Q. Dong [République populaire de Chine] | High efficient continuous wave operation of a Ho:YAP laser at room temperature |
001172 (2009) |
X. M. Duan [République populaire de Chine] ; B. Q. Yaa [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] ; G. J. Zhao [République populaire de Chine] | 8.5 W room temperature continuous wave operation of a Ho: LuAG laser |
001252 (2008) |
X. M. Duan ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; J. Gao [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Room temperature efficient continuous wave and Q‐switched Ho:YAG laser double‐pass pumped by a diode‐pumped Tm:YLF laser |
001273 (2008) |
A. V. Kir'Yanov [Mexique, Russie] ; S. M. Klimentov [Russie] ; P. E. Powers [États-Unis] ; I. V. Mel'Nikov [Russie] ; Y. N. Korkishko [Russie] | IR tunable narrow‐band nanosecond converter with a microchip pump source and periodically‐poled Lithium Niobate |