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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Russie)

Index « AffVille.i » - entrée « Hanovre »
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Göttingen < Hanovre < Karlsruhe  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 8.
Ident.Authors (with country if any)Title
000300 (2006) Photovoltaic properties and technological aspects of In1-xGaxN/Si, Ge (0
000496 (2003-12-29) Photoluminescence, depth profile, and lattice instability of hexagonal InN films
000619 (2003) Photoluminescence and Raman study of hexagonal InN and In-rich InGaN alloys
000690 (2003) Band gap of hexagonal InN and InGaN alloys
000849 (2002) Band gap of hexagonal InN and InGaN alloys
000850 (2002) Band gap of InN and in-rich InxGa1-xN alloys (0.36 < x < 1)
000853 (2002) Absorption and emission of hexagonal InN. Evidence of narrow fundamental band gap
000984 (2001) InN thin films grown by metalorganic molecular beam epitaxy on sapphire substrates

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Russie/Analysis

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