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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Optoelectronics »
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List of bibliographic references

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Ident.Authors (with country if any)Title
000042 (2013) Modeling of Ga1-xInxAs1-y-zNySbz/GaAs quantum well properties for near-infrared lasers
000102 (2012) Probing Quantum Confinement within Single Core-Multishell Nanowires
000414 (2009) Novel metal-template assembled highly-functionalized cyanoporphyrazine ytterbium and vanadium complexes for potential photonic and optoelectronic applications
001050 (2002) A high gain-bandwidth product InP HEMT distributed amplifier with 92 GHz cut-off frequency for 40 Gbit/s applications and beyond
001297 (2000-12) Préparation par épitaxie par jets moléculaires d'alliages III-V à base de thallium
001433 (2000) InP photodetectors for millimeter wave applications
001521 (1999-11) Contributions à l'étude des effets induits par la réduction de symétrie rotationnelle aux interfaces entre semiconducteurs
001527 (1999-10) Modélisation CAO de lasers semiconducteurs bi-électrodes pour des applications hyperfréquences
001540 (1999-09) COMPOSANTS DE TYPE GUIDE D'ONDES SUR InP POUR TELECOMMUNICATIONS MIXTES FIBRE-RADIO
001851 (1998-07) ETUDES EXPERIMENTALES ET MODELISATION DE LA DIFFUSION DU Be DANS DES STRUCTURES EPITAXIEES III-V
001861 (1998-06) Réalisation et Caractérisations Optoélectroniques de Diodes Electroluminescentes à base de Polymères Electroactifs et de Matériaux Moléculaires Déposés avec l'Assistance d'un Faisceau d'Ions
001862 (1998-06) Nouvelles applications hyperfréquences et optoélectroniques des transistors à transfert électronique FECTED
001A80 (1997-10) ELABORATION ET ETUDE DE MICRO-DISPOSITIFS MECANO-OPTIQUES EN SEMICONDUCTEURS III-V
001D25 (1996-12) Photodiode hyperfréquence de puissance sur InP: Modélisation, conception et caractérisation
001D28 (1996-12) Filière technologique TBH InP/GaInAs pour applications aux systèmes de communications à haut débit
001E35 (1996-01) Hétérojonctions isolants-semiconducteurs pour la réalisation de composants optoélectroniques
001F78 (1996) A study of side gate test structures in InAlAs/InGaAs HEMTs for optoelectronic circuit applications
002069 (1995-03) Epitaxie localisée par jets chimiques sur substrats GaAs et InP
002106 (1995) Theoretical and experimental studies of a spot-size transformer with integrated waveguides for polarization insensitive optical amplifiers
002249 (1994-10) Etude des défauts et de leurs interactions avec les contacts électriques réalisés sur les matériaux III-V
002328 (1994-01) Elaboration par EJM de structures d'antimoniures. Application à l'optoélectronique

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