Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Auteurs » - entrée « F. Barbarin »
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F. Balestra < F. Barbarin < F. Barberousse  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 8.
Ident.Authors (with country if any)Title
001011 (2002) Gas sensing properties of pseudo-Schottky diodes on p-type indium phosphide substrates - Application to O3 and NO2 monitoring in urban ambient air
001237 (2001) Highly NO2 sensitive pseudo Schottky barrier diodes on p-type InP with improved electrical characteristics
001747 (1999) Electrical characterization of InP epitaxial layers using mobility spectrum technique
001766 (1999) Capacitance-voltage profiling and thermal evolution of the conduction band-offset of unstrained Ga0.47In0.53As/InP single quantum well
001C38 (1997) Metal-n-InP Rectifying properties enhancement with Zn based metallizations and diffusion at moderate annealing temperatures
001D14 (1997) Accurate determination of the band-offset of a quantum semiconductor structure from its capacitance-voltage profile : Application to an InP/Ga0.47In0.53As/InP single quantum well
001D53 (1996-10) Contribution à l'étude des propriétés électroniques de puits quantiques contraints InAs/InP et non contraints Ga0,47 In0,53 As/InP par mesures capacitives statiques et dynamiques
002253 (1994-10) Contribution à l'étude des propriétés électriques d'hétérojonctions à base d'InP épitaxié par HVPE. Réalisation de contacts chimiques et Schottky

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents
Descripteur
6Experimental study
6Indium phosphides
4CV characteristic
4Quantum wells
4Semiconductor materials
3Band offset
3Binary compounds
3DLTS
3Gallium arsenides
3Indium arsenides
3Ternary compounds
2Barrier height
2Carrier density
2Inorganic compounds
2Nitrogen oxides
2Ohmic contacts
2Schottky barrier diodes
2Semiconducting indium phosphide
2Theory
1Annealing
1Application
1Band structure
1Carrier concentration
1Carrier mobility
1Chemical sensors
1Conduction bands
1Deep level
1Diffusion
1Doping
1Electric conductivity
1Electrical conductivity
1Electrochemical sensors
1Electronic structure
1Epitaxial layers
1Experiments
1Fabrication property relation
1Heterojunctions
1III-V semiconductors
1Leakage currents
1MOVPE method
1Metal-semiconductor contacts
1Ozone
1Polarization
1Preparation
1Rectifying contact
1Schottky barrier
1Schottky diode hydrogen sensors
1Semiconductor doping
1Sensitivity analysis
1Silver
1Solid-solid interfaces
1Substrates
1Thin film devices
1VPE
1Zinc

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