Ident. | Authors (with country if any) | Title |
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001011 |
| Gas sensing properties of pseudo-Schottky diodes on p-type indium phosphide substrates - Application to O3 and NO2 monitoring in urban ambient air |
001237 |
| Highly NO2 sensitive pseudo Schottky barrier diodes on p-type InP with improved electrical characteristics |
001747 |
| Electrical characterization of InP epitaxial layers using mobility spectrum technique |
001766 |
| Capacitance-voltage profiling and thermal evolution of the conduction band-offset of unstrained Ga0.47In0.53As/InP single quantum well |
001C38 |
| Metal-n-InP Rectifying properties enhancement with Zn based metallizations and diffusion at moderate annealing temperatures |
001D14 |
| Accurate determination of the band-offset of a quantum semiconductor structure from its capacitance-voltage profile : Application to an InP/Ga0.47In0.53As/InP single quantum well |
001D53 |
| Contribution à l'étude des propriétés électroniques de puits quantiques contraints InAs/InP et non contraints Ga0,47 In0,53 As/InP par mesures capacitives statiques et dynamiques |
002253 |
| Contribution à l'étude des propriétés électriques d'hétérojonctions à base d'InP épitaxié par HVPE. Réalisation de contacts chimiques et Schottky |