Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Keywords » - entrée « Junction gate field effect transistors »
Attention, ce site est en cours de développement !
Attention, site généré par des moyens informatiques à partir de corpus bruts.
Les informations ne sont donc pas validées.
Junction diodes < Junction gate field effect transistors < Junction transistors  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 2.
Ident.Authors (with country if any)Title
001A99 (2003-05-05) Characteristics of a field-effect transistor with stacked InAs quantum dots
001C83 (2002-05) Study of InGaP/GaAs/InGaAs high-barrier gate and heterostructure-channel field-effect transistors

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/KwdEn.i -k "Junction gate field effect transistors" 
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/KwdEn.i  \
                -Sk "Junction gate field effect transistors" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/Chine/Analysis/biblio.hfd 

Pour mettre un lien sur cette page dans le réseau Wicri

{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    Chine
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    KwdEn.i
   |clé=    Junction gate field effect transistors
}}

Wicri

This area was generated with Dilib version V0.5.77.
Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024