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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Keywords » - entrée « Acceptor donor pair »
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Acceptor center < Acceptor donor pair < Accumulation layers  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 6.
Ident.Authors (with country if any)Title
000C17 (2010) Correlation between the 3.31-eV emission and the doping level in indium-doped ZnO nanostructures
001207 (2008) Compositional and temperature dependence of the energy band gap of CuxInySe2 epitaxial layers
002502 (1997) Low temperature photoluminescence properties of InGaN films grown on (0 1 1 2) Al203 and (0 0 0 1) Al203 substrates by low pressure movpe
002597 (1996) Photoluminescence studies of CuInSe2
002695 (1995) The near infrared photoluminescence of epitaxial Ga0.5In0.5P
002838 (1993) Correlation between deep-level photoluminescence and ordered structure in Ga0.5In0.5OP epilayers

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis

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