IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, ZHI MIN LIU

ZHI LIU < ZHI MIN LIU < ZHI PING WANG

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000B19 (2010)		Influence of the channel layer thickness on electrical properties of indium zinc oxide thin-film transistor
000B65 (2010)		Enhancement of electrical performance in In2O3 thin-film transistors by improving the densification and surface morphology of channel layers

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Nombre de documents	Descripteur
2	Active layer
2	Cathodic sputtering
2	Electrical characteristic
2	Indium oxide
2	Performance evaluation
2	Radiofrequency sputtering
2	Room temperature
2	Silicon
2	Silicon oxides
2	Thin film transistor
2	Voltage threshold
1	Amorphous material
1	Charge carrier density
1	Diffusion
1	Drain current
1	Electrical properties
1	Free carrier
1	Interface
1	Radiofrequency
1	Size effect
1	Surface structure
1	Thickness
1	Thin film
1	Transparent electronics
1	Zinc oxide
1	n type semiconductor

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	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « ZHI MIN LIU »
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