IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, Z. W. Zheng

Z. W. Zhang < Z. W. Zheng < Z. W. Zhou

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Number of relevant bibliographic references: 4.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
001749 (2005)		Quantum and transport scattering times in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN single quantum wells
001915 (2004-02-23)		Comment on Piezoelectric effect on Al0.35-δInδGa0.65N/GaN heterostructures [Appl. Phys. Lett. 80, 2684 (2002)]
001B37 (2003)		Subbands transport of the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
001C20 (2003)		Effect of surface treatments on Schottky contact on n-AlxGa1-xN/GaN heterostructures

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Aluminium nitrides
3	Binary compounds
3	Experimental study
3	Gallium nitrides
3	Indium nitrides
3	Semiconductor materials
3	Ternary compounds
2	Magnetoresistance
2	Modulation doping
2	Subband
2	Transport processes
1	Aluminium compounds
1	Barrier height
1	Chemical treatment
1	Electron-defect interactions
1	Gallium compounds
1	Gold
1	Heterostructures
1	III-V semiconductors
1	IV characteristic
1	Indium compounds
1	Misfit dislocations
1	Piezoelectricity
1	Platinum
1	Quantum transport
1	Quantum wells
1	Roughness
1	Schottky barriers
1	Semiconductor quantum wells
1	Shubnikov-de Haas effect
1	Surface treatments
1	Two-dimensional electron gas
1	Wide band gap semiconductors
1	X-ray photoelectron spectra

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « Z. W. Zheng »
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