IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, YUAN LU

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001A34 (2004)		Crack-free InAlGaN quaternary alloy films grown on Si(1 1 1) substrate by metalorganic chemical vapor deposition
001D18 (2002)		The structure and current-voltage characteristics of multi-sheet InGaN quantum dots grown by a new multi-step method
001E10 (2002)		A new method to fabricate InGaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	CVD
3	Crystal growth from vapors
3	Experimental study
3	Gallium nitrides
3	Indium nitrides
2	Characterization
2	III-V semiconductors
2	Low temperature
2	MOCVD
2	Passivation
2	Photoluminescence
2	Quantum dots
2	Thin films
1	Aluminium nitrides
1	Atomic force microscopy
1	Buffer layer
1	Energy barrier
1	Energy dispersive spectroscopy
1	IV characteristic
1	Low pressure
1	Monocrystals
1	Morphology
1	Multilayers
1	Multistep method
1	Nanostructured materials
1	Nanostructures
1	Optical microscopy
1	Quantity ratio
1	Quaternary compounds
1	RBS
1	Stress relaxation
1	Surface diffusion
1	Surface treatments
1	Surfaces
1	Thermal stresses
1	XRD

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « YUAN LU »
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