IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, Y. Q. Xu

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001747 (2005)		Room temperature 1.25 μm emission from high indium content InxGa1-xAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
001776 (2005)		Molecular beam epitaxy growth and photoluminescence study of room temperature 1.31 μm (InyGa1-yAs/GaAs1-xSbx)/GaAs bilayer quantum wells
001A55 (2003-12-15)		Electronic properties of GaAs/GayIn1-yNxAs1-y-xSby superlattices

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Gallium arsenides
2	Band structure
2	Crystal growth from vapors
2	Experimental study
2	Indium arsenides
2	Molecular beam epitaxy
2	Nanostructured materials
2	Photoluminescence
2	Thin films
1	Alignment
1	Bilayers
1	Buffer layer
1	Computerized simulation
1	Conduction bands
1	Effective mass
1	Gallium antimonides
1	Gallium compounds
1	III-V semiconductors
1	Indium compounds
1	Interface states
1	Localized states
1	Monte Carlo methods
1	Multiple quantum well
1	Pseudopotential methods
1	Quantum wells
1	Semiconductor superlattices
1	Solid source molecular beam epitaxy
1	Strained quantum well
1	Temperature dependence
1	Theoretical study
1	Thickness

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « Y. Q. Xu »
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